HUASHUO介绍_HUASHUO 卖盘列表--拍明芯城

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IRLML6401

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2900

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.31W 类型：P沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 3000

封装： SOT23-3

10 +		￥ 0.344754
100 +		￥ 0.278478
600 +		￥ 0.2461
1200 +		￥ 0.242409
3000 +		￥ 0.225802

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

HSCB2903

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 936

描述： MOSFETs 1个N沟道+1个P沟道 20V 5A;4.5A DFN-6L-EP(2x2)

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 3000

封装： DFN-6-EP(2x2)

1 +		￥ 0.561739
100 +		￥ 0.524289
300 +		￥ 0.486839
500 +		￥ 0.449389
2000 +		￥ 0.430664
5000 +		￥ 0.419429

（人民币单价(含13%税)）

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香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSM4113

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 348

产品分类：射频用FET/MOSFET

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 2500

封装： SOP-8

5 +		￥ 1.127031
50 +		￥ 0.898757
150 +		￥ 0.800916

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSM4805

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 4000

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 4000

封装： SOP-8

1 +		￥ 1.437845
10 +		￥ 1.416273
800 +		￥ 0.83154

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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HSM4115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 3

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8.7A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：13mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：P沟道

起订量： 3

递增量： 3

最小包装： 2500

封装： SOP-8

3 +		￥ 1.757764

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSM6115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 48

产品分类：射频用FET/MOSFET

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 2500

封装： SOP-8

5 +		￥ 2.940274

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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AO3401A

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 6610

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：65mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： SOT-23

5 +		￥ 0.177716
50 +		￥ 0.161666
500 +		￥ 0.145616
1000 +		￥ 0.129566
2500 +		￥ 0.122076
5000 +		￥ 0.115656

（人民币单价(含13%税)）

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香港 (6工作日)

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单价：￥

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IRLML6402

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2914

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.31W 类型：P沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 3000

封装： SOT-23

10 +		￥ 0.357947
100 +		￥ 0.291821
600 +		￥ 0.259582
1200 +		￥ 0.255687
3000 +		￥ 0.22882

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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HSBB4062

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2840

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： PRPAK(3x3)

5 +		￥ 1.139422
50 +		￥ 0.906707
600 +		￥ 0.677663
1200 +		￥ 0.667498
3000 +		￥ 0.56435

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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HSL6107

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 380

产品分类：射频用FET/MOSFET

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： SOT-223

5 +		￥ 1.263349
50 +		￥ 1.006442
150 +		￥ 0.896339

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

HSBA4115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 21

描述： MOSFETs 1个P沟道耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： PRPAK_5X6MM

5 +		￥ 2.050537

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSH15810

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 356

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：227W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 800

封装： TO-263(D²Pak)

1 +		￥ 3.103
30 +		￥ 2.996
100 +		￥ 2.782
500 +		￥ 2.568
1000 +		￥ 2.461

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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BSS138

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 1119

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.23A 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：3.4Ω @ 0.22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230mW 类型：N沟道

起订量： 20

递增量： 20

最小包装： 3000

封装： SOT-23

20 +		￥ 0.12061
300 +		￥ 0.096428
1200 +		￥ 0.094984

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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HSS4P06

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2000

描述： P沟道耐压:60V 电流:4A

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： 25+

1 +		￥ 0.423894
100 +		￥ 0.406192

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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HSM0228

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 8

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：68mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 2500

封装： SOP-8

1 +		￥ 3.019968

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSU6115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2134

产品分类：射频用FET/MOSFET

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 2500

封装： TO-252(DPAK)

1 +		￥ 2.852192
10 +		￥ 2.809413
500 +		￥ 1.583386
1000 +		￥ 1.559632
2500 +		￥ 1.447068

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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HSBB6115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 298

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5.2W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 3000

封装： PRPAK_3X3MM

1 +		￥ 2.88365
10 +		￥ 2.275462
30 +		￥ 2.002826
100 +		￥ 1.67776

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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HSP80P10

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 152

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.0V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：210W 类型：P沟道 50/管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 50

封装： TO-220-3

1 +		￥ 7.424088
10 +		￥ 6.113338
50 +		￥ 5.211542
100 +		￥ 4.40412

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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AO3400A

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2408

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：35mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： SOT-23

5 +		￥ 0.181911
20 +		￥ 0.165861
100 +		￥ 0.149811
500 +		￥ 0.133761
1000 +		￥ 0.126271
2000 +		￥ 0.120921

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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HSBG2103

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 1292

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：0.65A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.0V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 0.65A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.15W 类型：P沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 10000

封装： PDFN1006-3

10 +		￥ 0.269351
100 +		￥ 0.216258
2000 +		￥ 0.169017

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSU6113

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 5

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31.3W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.758324

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSBA3060

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 4

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：9.8mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.99216

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSBA4052

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 4

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27.8W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.107064

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSU4103

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 49

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：32mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：P沟道

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 2500

封装： TO-252(DPAK)

5 +		￥ 1.608766

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

HSBB4115

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 1506

描述： MOSFETs P-沟道 40V 39A PRPAK3x3-8L

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： PRPAK3x3-8L

5 +		￥ 2.103096
50 +		￥ 1.701835
600 +		￥ 1.228232
1200 +		￥ 1.209806
3000 +		￥ 1.150432

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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BSS84

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 1950

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6Ω @ 0.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：350mW 类型：P沟道

起订量： 20

递增量： 20

最小包装： 3000

封装： SOT-23

20 +		￥ 0.221972
300 +		￥ 0.179749
1200 +		￥ 0.154915
3000 +		￥ 0.128668

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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FDN338P

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2987

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 3000

封装： SOT23-3

10 +		￥ 0.277537
100 +		￥ 0.222496
600 +		￥ 0.195596
1200 +		￥ 0.192664
3000 +		￥ 0.177427

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSS0008

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2540

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：310mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 3000

封装： SOT-23

10 +		￥ 0.347065
100 +		￥ 0.284224
600 +		￥ 0.253579
1200 +		￥ 0.249781
3000 +		￥ 0.222079

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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AO3415

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 752

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

起订量： 10

递增量： 10

最小包装： 3000

封装： SOT23L

10 +		￥ 0.49143
100 +		￥ 0.387137
600 +		￥ 0.335028
1200 +		￥ 0.329999

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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HSBB3105

品牌： HUASHUO (华朔)

库存： 2163

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：P沟道

起订量： 5

递增量： 5

最小包装： 3000

封装： PRPAK_3X3MM

5 +		￥ 1.085205
50 +		￥ 0.874672
600 +		￥ 0.66752

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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