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IRLML6402
加入对比品牌： HUASHUO
封装： SOT-23
类别： 其他晶体管
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.9A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 4.9A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.31W 类型：P沟道
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10 + |
￥ 0.357947 |
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100 + |
￥ 0.291821 |
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600 + |
￥ 0.259582 |
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1200 + |
￥ 0.255687 |
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3000 + |
￥ 0.22882 |
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10 + |
＄ 0.051659 |
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100 + |
＄ 0.042115 |
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600 + |
＄ 0.037463 |
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1200 + |
＄ 0.0369 |
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3000 + |
＄ 0.033023 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 10 / 递增量 10
| 参数 | 数值 |
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商品目录
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MOS(场效应管)
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漏源电压（Vdss）
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-20V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
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4.9A
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栅源极阈值电压
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1V @ 250uA
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最大功率耗散（Ta=25°C）
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1.31W
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类型
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P沟道
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商品毛重
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0.038克(g)
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封装
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SOT-23-3
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