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HSBB3105
加入对比品牌： HUASHUO
封装： PRPAK_3X3MM
类别： 其他晶体管
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：14mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W 类型：P沟道
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5 + |
￥ 1.085205 |
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50 + |
￥ 0.874672 |
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600 + |
￥ 0.66752 |
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5 + |
＄ 0.156616 |
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50 + |
＄ 0.126232 |
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600 + |
＄ 0.096336 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 5 / 递增量 5
| 参数 | 数值 |
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商品目录
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MOS(场效应管)
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漏源电压（Vdss）
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-30V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
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42A
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栅源极阈值电压
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2.5V @ 250uA
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最大功率耗散（Ta=25°C）
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37W
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类型
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P沟道
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商品毛重
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0.104克(g)
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封装
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PRPAK3*3
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