CET-MOS

华瑞功率电子股份有限公司(CET-MOS) 为一群拥有多年研发设计及生产制造经验的团队所组成，沿袭华瑞公司超过25年的技术与经验，致力于开发高质量金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET) 之自有品牌公司。CET-MOS团队可提供高可靠度的各种功率组件，亦协助各国际大厂ODM与OEM设计封装并提供完整解决方案。CET-MOS拥有各种不同的封装型式，适用于各类电力电子产品上。CET-MOS产品的电压范围由 -200V (P 通道) 至高压+1000V (N 通道)，并可提供单一或多核心的订制化产品。CET-MOS产品已被广泛应用于网络通讯、电源供应器、通讯电子产品、光电控制装置、消费性电子及工业应用产品等领域。提供客户最有竞争力及完整快速的解决方案。

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SKUS:69 截止时间:2026/03/26

所有结果 (69)

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CEG8205A

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 132

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.36358

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

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CES2321A

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 60

产品分类： FET/MOSFET 单体

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 2.4A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.394744

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

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CES2301

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 130

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.8A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.46746

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CES2320

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 50

产品分类： FET/MOSFET 单体

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.2A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：29mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.592116

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM8208

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.664832

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

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单价：￥

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CES2361

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 150

描述： null

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.851816

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEU3133

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.914144

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM3128

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.578976

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEZ3R03

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 30

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.776348

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

单价：￥

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CEF02N6G

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 30

产品分类： FET/MOSFET 单体

描述： Trans MOSFET N/P-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.97372

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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CEF10N65

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 30

产品分类： FET/MOSFET 单体

描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 3.511144

（人民币单价(含13%税)）

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内地 (3工作日)

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CEB14A04

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 10

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 6.056204

（人民币单价(含13%税)）

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CEC3172

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 97

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：26A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.62328

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CEM3172

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.72716

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM3425

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.747936

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM3133

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 5

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.98686

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM3115

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.028412

（人民币单价(含13%税)）

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CEM3178

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 10

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.173844

（人民币单价(含13%税)）

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CEA6861

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 58

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.4A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.205008

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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CEU12N10

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.412768

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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CEM3137

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 3

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.485484

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEP05N65

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84W(Tc) 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 1.734796

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

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CEM3060

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 10

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7.8mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：N沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 2.939804

（人民币单价(含13%税)）

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单价：￥

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CEF08N6A

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 30

产品分类： FET/MOSFET 单体

描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 3.043684

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CEZ2R05

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 30

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 10.377612

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CEC3P07

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 100

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.2597

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CES2312A

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 250

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.301252

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CES2307B

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 50

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.5194

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CES2317

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 150

产品分类：其他晶体管

描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：P沟道

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.5194

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

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CEH2637

品牌： CET-MOS (华瑞)

库存： 150

产品分类：其他晶体管

起订量： 1

递增量： 1

最小包装： 1

批次： null

1 +		￥ 0.5194

（人民币单价(含13%税)）

香港 (6工作日)

内地 (3工作日)

单价：￥

总价：￥

CET-MOS

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