CEG8205A
品牌: CET-MOS
类别: 其他晶体管
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道
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¥ 0.36358 |
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$ 0.052472 |
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(人民币单价(含13%税)) |
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起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
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商品目录
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MOS(场效应管)
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漏源电压(Vdss)
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20V
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连续漏极电流(Id)(25°C 时)
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3A
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栅源极阈值电压
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3V @ 250uA
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最大功率耗散(Ta=25°C)
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1.25W
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类型
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N沟道
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商品毛重
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0.174克(g)
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封装
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TSSOP-8
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