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CEM8208
加入对比品牌： CET-MOS
类别： 其他晶体管
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 7A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双N沟道
数量梯度
单价
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1 + |
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￥ 0.664832 |
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1 + |
＄ 0.095948 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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交货地：
香港 (6工作日)
内地 (3工作日)
库存 100
最小包装：
1
批次：
购买数量：
起订量 1 / 递增量 1
购买金额：
￥
| 参数 | 数值 |
|---|---|
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商品目录
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MOS(场效应管)
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漏源电压（Vdss）
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-20V
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连续漏极电流（Id）（25°C 时）
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7A
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栅源极阈值电压
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1.2V @ 250uA
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最大功率耗散（Ta=25°C）
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2W
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类型
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双N沟道
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商品毛重
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0.216克(g)
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封装
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SOP-8_150mil
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