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CGH40010F
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CGH40010F数据手册
CGH40010F数据手册
CGH40010F氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）数据手册深度解析一、产品概述与核心优势CGH40010F是Wolfspeed（CREE）公司推出的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频（RF）和微波应用设计。该器件采用28伏电源轨供电，具备10瓦峰值输出功率和DC-6GHz的宽频带操作能力，是线性放大器、压......
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2025-08-14
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CGH40010F封装参数深度解析CGH40010F是Wolfspeed（原CREE）公司推出的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），属于射频功率器件系列，专为高频、高效率的射频功率放大应用设计。其封装参数直接影响器件的电气性能、热管理、机械可靠性及制造成本，是射频系统设计中的关键环节。以下从封装类型、物理尺寸、电气特性、热特性......
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一、概述CGH40010F是一款应用于射频（RF）领域的高功率场效应功率晶体管（FET），在无线路由器、基站放大器以及各种无线通信设备中广泛应用。它由全球知名的半导体厂商打造，具备出色的输出功率能力和优良的线性度，尤其适用于VHF（甚高频）到UHF（超高频）频段内的高功率放大场景。CGH40010F的出现填补了高频大功率场效应器件在小型化......
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