产品分类

IRFP4668是一款由英飞凌科技公司生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用HEXFET技术，具备高电压、大电流、低导通电阻的特性。其漏源极电压（Vds）为200V，连续漏极电流（Id）高达130A，导通电阻（Rds(on)）低至9.7mΩ（在Vgs=10V，Id=81A时），功率耗散达520W，适用于高功率开关和放大应用。 IRFP4668的栅极阈值电压为5V，栅极电荷（Qg）为241nC，支持快速开关，适合高频电路。其工作温度范围宽，从-55°C至175°C，能适应各种极端环境。封装采用TO-247AC，具备良好的散热性能。 该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、不间断电源（UPS）以及太阳能发电系统等领域。其高电压操作、低导通电阻和快速开关特性，使其成为高功率应用的理想选择。同时，IRFP4668还具备增强的雪崩能力和动态dV/dt坚固性，提高了在高频开关应用中的稳定性。