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IRFP250M 是一款采用 TO-247 封装的 N 沟道功率 MOSFET，具备 200V 的漏源电压（VDS）和 30A 的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）在 VGS=10V 时为 75mΩ，最大耗散功率达 214W，适用于高功率应用场景。其阈值电压（VGS(th)）典型值为 4V，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，支持快速开关，栅极电荷（Qg）为 82nC（典型值），输入电容（Ciss）为 2.159nF，动态性能优异。工作温度范围宽（-55℃至 +175℃），适应恶劣环境。 该器件采用 HEXFET 工艺，具有低导通电阻、高雪崩额定值和易于并联的特点，适用于开关模式电源（SMPS）、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。TO-247 封装提供更好的散热性能，相比 TO-220 更适合高功率需求。凭借高效率、高可靠性和低导通损耗，IRFP250M 成为工业控制、自动化及消费电子领域的优选功率器件。