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IGBT门极
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
当IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的集电极电压超过其额定电压时，会发生一系列不利的现象，主要包括器件的击穿和可能的损坏。以下是详细的分析：一、器件击穿雪崩击穿：当IGBT集电极电压超过其额定电压时，特别是当电压值接近或超过器件的雪崩击穿电压时，器件有可能发生雪崩击穿。在IGBT结构中，P阱和N衬底会形成一个PN结。集电极和发射极之间加电压时......
IGBT... 有源钳位 IGBT...
2021-12-13
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