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GaN晶体材料
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本发明公开了一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法:将从盛放液态Ga的Ga舟通入的HCl气体,在通过本发明改善的HCl气体流通途径时,与金属Ga充分混合而反应生成GaCl气体,从液态Ga的上部液面逸出后,导入生长区与NH

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2021-08-11
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