北京顿思集成电路设计有限责任公司从事射频功率器件的设计、研发、晶圆加工（含MPW）、封装、测试和销售，成功设计了多个系列高可靠性RF-MOSFET功率器件。主要产品包括射频功率LDMOS器件、定制化功率MOS器件及其配套的50欧系统解决方案。顿思重点关注射频应用领域产品，应用频率覆盖DC~4GHz，输出功率等级覆盖0.1W~500W，供电电压3.7V~380V；拥有塑料封装、金属封装等适应各类应用需求的标准封装和定制化封装外形；有单管、合封模组等各种应用方案。应用于射频移动通信基站、射频广播、移动无线电、射频能源以及工业、科研、医疗等众多具有战略重要性的行业领域。