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浙江同芯祺科技有限公司面向新能源汽车和发电等工业领域，提供超薄晶圆，含沟槽型，MOSFET和中高压IGBT 600V/1200V/3000V等功率芯片设计及工艺平台。在8英寸、12英寸芯片IDM及MOSFET/IGBT等领域拥有完整技术体系，包括自主研发的专利技术、技术秘密，以及国际知名IDM大厂转移和授权的专利技术、技术秘密，形成专利布局，且数量庞大，部分工艺和产品技术为国际领先、国内唯一。
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