镓敏光电致力于研发和生产基于新型宽禁带半导体材料的高性能紫外探测器。宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料，其代表材料包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体，具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点，用于耐高温、高效能的高频大功率器件以及工作于紫外波段的光探测器件，具有显著的材料性能优势。目前，镓敏光电已建成完整的器件工艺线和高标准的器件检测实验室，并在国内首先批量供应多型号高灵敏度GaN和SiC紫外探测器产品。镓敏光电生产的紫外探测器具有光电流高、暗电流低、响应速度快等系列性能优势，其技术指标已全面超越国外进口产品，具有极高的性价比，可广泛应用于环境监测、紫外固化、工业过程监测、食品卫生、饮用水消毒、和火灾报警等诸多领域。