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NIKO-SEM
NIKO-SEM
1998年 尼克森微电子股份有限公司总部成立于台北，为专业之电源管理功率组件及模拟IC设计公司，主要产品包括POWER MOSFET功率组件、线性稳压IC(LDO)、切换型稳压IC及脉冲控制IC，并广泛应用于主板、笔记本电脑、平板计算机等泛PC产品及其外围电源装置，以及LED Lighting,车用电子/车充市场,Power Bank 及液晶显示面板(LCD) 等相关产业领域。
产品分类
SKUS:146 截止时间:2026/03/26
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描述： P0903BD In Stock, TO252
描述： P4004ED In Stock, TO-252
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏源导通电阻：30mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.4W 类型：P沟道
描述： N-Channel MOS Field Effect Transistor
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：900mV @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：P沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：7mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：16.7W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：700mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 600mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A,6.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 7A,10V;28mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道和P沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 8A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：460mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：108mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：800mW 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：75mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：48W(Tc) 类型：P沟道
描述： L1117LG-1.8 In Stock, SOT223
描述： P2003ED In Stock, TO-252
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：69A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：151A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.35V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：73W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：36A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：26.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：114A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：59W 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：46mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：780mW 类型：P沟道
