恒捷供应链
UNITEDSIC
UNITEDSIC
UnitedSiC 提供 SiC FET、JFET 和肖特基二极管设备等产品，产品组合现已涵盖80多种。SiC是第三代半导体的重要代表，相较于传统硅材料能够明显改善系统效率，包括EV、EV充电和能源基础设施。
产品分类
SKUS:126 截止时间:2026/03/26
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描述： Schottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G2 , TO
描述： UnitedSiC UJ3C120150K3SMOSFET 1200V/ 150mOhm SIC CASCODE, G3
描述： UnitedSiC UJD306510TS肖特基二极管与整流器 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3
描述： UnitedSiC UJ3D1220TS肖特基二极管与整流器 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2
描述： UnitedSiC UJ3C065080K3SMOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
描述： UnitedSiC UF3C065080K4SMOSFET 650V 80m? SiC Cascode Fast
描述： 650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T
描述： SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
描述： 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
描述： Diode Silicon Carbide Schottky 10A (DC) Through Hole TO-247-3
描述： 750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
描述： 1200V 100MOHM SIC CASCODE, TO\u00e2\u20ac\ufffd247
描述： 1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,
描述： 1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,
描述： 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
描述： 650V SIC DIODES 6A
描述： 650V SIC DIODES 4A
描述： CASCODE 1200V 100A DIODES
描述： UnitedSiC UJD306520TS肖特基二极管与整流器 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3
描述： 750V/33MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
描述： SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
描述： Diode Silicon Carbide Schottky 10A (DC) Through Hole TO-220-2
描述： Diode Silicon Carbide Schottky 30A (DC) Through Hole TO-220-2
描述： Schottky Diodes & Rectifiers 650V/16ASiC SCHOTTKY DIODE G2
描述： Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/5A SiC SCHOTTKY DIODE G2
