恒捷供应链
FUXINSEMI
FUXINSEMI
富芯微（FuxinSemi）是一家集研发、生产、销售于一体的高新技术企业，拥有顶尖的研发能力和先进的全自动 化生产线。主营产品包括可控硅、MOSFETS、二极管（TVS、肖特基、快恢复、整流桥），产品广泛应用于消费类电 子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
产品分类
SKUS:312 截止时间:2026/03/26
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描述： 二极管配置：独立式 工作温度：-55℃~+150℃(Tj) 正向压降(Vf)：1V @ 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5uA @ 200V 反向恢复时间(trr)：50ns
描述： 40V 1A SMAF(DO
描述： 200V 10A 950mV@10A DO
描述： 200V Single 950mV@2A 2A SMA(DO
描述： 60V Single 1A 700mV@1A SOD
描述： 40V Single 2A 500mV@2A SMA(DO
描述： 40V Single 3A 550mV@3A SOD
描述： 40V Single 450mV@3A 3A SMA(DO
描述： 1.28V@4A 50ns null 4A 600V SMC(DO
描述： 600V 500mW Dual 1.3V@300mA 80ns 500mA SOT
描述： 二极管配置：- 正向压降(Vf)：- 直流反向耐压(Vr)：- 工作温度(最大值)：- 平均整流电流(Io)：- 反向电流(Ir)：-
描述： 正向压降(Vf)：1.7V 3A 平均整流电流(Io)：3A 反向恢复时间(trr)：35ns
描述： 正向压降(Vf)：1.3V 1A 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 400V 反向恢复时间(trr)：150ns
描述： 正向压降（Vf）：- 直流反向耐压（Vr）：- 平均整流电流（Io）：-
描述： 正向压降（Vf）：- 直流反向耐压（Vr）：- 平均整流电流（Io）：-
描述： 反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-
描述： 反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-
描述： 反向关断电压（典型值）：- 击穿电压（最小值）：- 峰值脉冲电流（10/1000us）：- 极性：- 箝位电压：-
