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JESTEK

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南京江智科技有限公司是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。公司产品以技术和市场的需要为导向,在中、低压MOS产品市场中,占有很大的份额。

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JST3400

JST3400

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.8A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:33mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

2N7002K

2N7002K

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):340mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.3Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:N沟道

JST100N30T2

JST100N30T2

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):88W(Tc) 类型:N沟道

JST60N30T2

JST60N30T2

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:N沟道

JST3415C

JST3415C

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A(Tc) 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:900mV @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.1W(Tc) 类型:P沟道

JST80N30T2A

JST80N30T2A

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):90W(Tc) 类型:N沟道

JST8205S

JST8205S

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.8A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:27.5mΩ @ 4A,2.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:双N沟道

BAT60B

BAT60B

描述: 20uA@8V 10V Single 3A 0.6V@1A SOD

JST4406

JST4406

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道

JST2301H

JST2301H

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:110mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道

JST150N30T2

JST150N30T2

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):150A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:2.6mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道

JST2300

JST2300

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 4.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道

JST2302H

JST2302H

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.1V @ 250uA 漏源导通电阻:46mΩ @ 4A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:N沟道

JST4435

JST4435

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:23mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:P沟道

JST3401

JST3401

描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:63mΩ @ 4.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:P沟道

MM1Z5V1W

MM1Z5V1W

描述: 2uA@1.5V ±5% 130Ω Single 4.8V~5.4V 500mW 5.1V SOD

FR107W

FR107W

描述: 1.3V@1A 5uA@1kV 500ns Single 1A

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