ASIA CHIP
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亚芯电子创建于2006年,国家级高新技术企业,深圳市高新技术企业主营半导体及集成电路研发。 亚芯电子专注于功率器件,DC-DC BLDC 实现创新,稳定,高效率,低成本整体解决方案,经过长期的努力,已经成为具备低压,中压,系列大功率POWER MOSFET分立器件研发生产能力。产品广泛应用于计算机,消费类电子,LCD/LED显示器,通讯电源,工业电源,以及太阳能,风能,锂电等新能源产业。
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描述: P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-2.6A P=1.4W
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=4A P=1.4W
描述: N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=6.5A P=1.4W
描述: P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-12A P=3.1W
描述: 2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=15A P=30W 2通路
描述: 30V /40A单N功率MOSFET
描述: N沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=150A P=208W
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=5A P=1.4W
描述: P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-4A P=1.4W
描述: N沟道+P沟道 VDS=30V ID=6A VGS=±20V P=3.1W 2通路
描述: 2P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-9A P=2W 2通路
描述: N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=3A P=1.4W
描述: 2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.6A P=2W 2通路
描述: 2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=6A P=2W 2通路
描述: N沟道+P沟道 VDS=30V ID=10A VGS=±20V P=2W 2通路
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=83A P=36W
描述: 2N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=6.9A P=2W 2通路
描述: P沟道 VDS=-30V VGS=±12V ID=-2.6A P=1.4W
描述: 30V/60A单N功率MOSFET
描述: N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.7A P=1.4W
描述: 2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=7.7A P=2W 2通路
描述: 2P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-5A P=2W 2通路
描述: P沟道 VDS=-20V VGS=±8V ID=-5A P=1.5W
描述: P沟道 VDS=-30V VGS=±25V ID=-10.5A P=3.1W
描述: 2N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=3.6A P=2W 2通路
描述: N沟道+P沟道 VDS=40V ID=6A VGS=±20V P=2W 2通路

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