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无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。
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描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.35Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：97W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W(Tc) 类型：N沟道
