恒捷供应链
HAOLIN
HAOLIN
深圳市豪林电子有限公司成立于2002年，公司成立之初为代理经销模式，同时也是长电品牌第一大代理经销商；专业肖特基、快恢复二极管、MOSFET、1300高压开关三极管、集成电路、用优质量，优单价，优服务，优速度，在华南地区赢取了代理经销的最佳业绩。2008年公司从代理经营走向了自主封装与自主品牌的销售路线，专业引进国外MOSFET工艺制造技术，成功转型了自主品牌“HL”经营销售规模公司。今天，HL的品牌MOSFET、肖特基、功率三极管1300及高压硅堆等产品已经在电源、汽车照明HID、UPS、民用照明、小家电等领域广泛应用，“HL”MOSFET良好的信誉和稳定的质量得到了客户的广泛认同。
产品分类
SKUS:89 截止时间:2026/03/26
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描述： Transistors (NPN/PNP) PNP 200mA 305V TO
描述： 40V 8A 650mV@7.5A DO
描述： 400V 500mW 200mA 100@10mA,10V 50MHz 300mV@50mA,5mA PNP +150℃@(Tj) SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
描述： Transistors (NPN/PNP) NPN 600mA 160V TO
描述： Schottky Barrier Diodes (SBD) TO
描述： 200V 1 pair of common cathodes 950mV@20A 10A TO
描述： 100μA 480V 1.25W 1A 5MHz 800mV@200mA,40mA NPN -55℃~+150℃@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
描述： 1.7V@8A 35ns Independent Type 10A 650V TO
描述： Diodes
描述： Bridge Rectifiers 1000V 800mA 1V @ 800mA MBF RoHS
描述： 1.5A Fixed 5V 35V TO
描述： 10μA 80V 900mW 1A 60@150mA,5V 140MHz 1V@500mA,50mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-89(SOT-89-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
描述： Schottky Barrier Diodes (SBD) TO
描述： 1.5A Fixed 6V 35V TO
描述： 集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：400V
描述： 集电极电流Ic：200mA 额定功率：625mW 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压Vce：305V
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W(Tc) 类型：N沟道
描述： 正向压降（Vf）：1V @ 1A 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：1A
描述： 正向压降(Vf)：1.7V 8A 直流反向耐压(Vr)：650V 平均整流电流(Io)：10A 反向电流(Ir)：10μA 650V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-50℃ (Tj)
描述： 正向压降（Vf）：600mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：40V 平均整流电流（Io）：1A
描述： 正向压降（Vf）：1.1V @ 1A 直流反向耐压（Vr）：50V 平均整流电流（Io）：1A
描述： 正向压降（Vf）：820mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：20A
描述： 正向压降（Vf）：650mV @ 10A 直流反向耐压（Vr）：45V 平均整流电流（Io）：20A
描述： 集电极电流Ic：1.5A 额定功率：1.5W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：480V
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.8V @ 250uA 漏源导通电阻：234mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
描述： 集电极电流Ic：150mA 额定功率：400mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：50V
描述： 集电极电流Ic：5A 额定功率：750mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：22V
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道
