恒捷供应链
RUNXIN MICRO
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润新微电子（大连）有限公司是一家由海外归国团队创立的半导体国家级高新技术企业。开展以氮化镓为代表的第三代半导体外延材料和电子器件的研发与产业化。在电力电子领域，公司已实现6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产，并发布了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品，主要应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。在微波射频领域，公司已进行硅基氮化镓外延材料的开发，射频芯片的研发与产业化准备工作亦已展开，产品定位为10 GHz以下的射频通讯和射频能量市场。
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描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 输入电容(Ciss@Vds)：- 功率(Pd)：- 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0)：- 漏源导通电阻(RDS(on))：- 栅源截止电压(VGS(off)@ID)：- 工作温度(最大值)：- 工作温度(最小值)：- 栅源击穿电压(V(BR)GSS)：- FET类型：-
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：1.62V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 4A,8V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W 类型：氮化镓(GaN)功率晶体管
