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浙江华晶整流器有限公司作为国内专业的电力半导体器件及硅整流成套设备生产企业之一，致力于为全球客户提供高品质的电力半导体产品。公司主要产品有：平板式器件、螺旋式器件、功率半导体模块、桥式整流器、固态继电器、智能模块、电焊机组件、电子电力器材用散热器、整流装置、开关电源、充电机等。
产品分类
SKUS:157 截止时间:2026/03/26
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描述： Diode: rectifying; 1.2kV; 1.3V; 25A; anode to stud; DO5; M5; bulk
描述： Diode: rectifying; 1.6kV; 1.3V; 25A; anode to stud; DO5; M5; bulk
描述： Diode: rectifying; 1.6kV; 1.3V; 25A; anode to stud; DO5; M5; bulk
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：300mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：85W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：700mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：55W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.15Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：120W(Tc) 类型：N沟道
描述： N沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=9A P=75W
描述： 集电极电流Ic：12A 额定功率：100W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V
描述： 正向压降（Vf）：900mV @ 5A 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：5A
描述： 集电极电流Ic：1.3A 额定功率：800mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V
描述： 集电极电流Ic：1.3A 额定功率：800mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：198W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
描述： Thyristor: stud; 1.2kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
描述： Thyristor: stud; 1.6kV; Ifmax: 40A; 25A; Igt: 90mA; TO208AA; screw
描述： 产品类型：晶体管输出 输入类型：- 隔离电压：5000Vrms 通道数目：1
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道
描述： IGBT Modules
描述： 集电极电流Ic：8A 额定功率：80W 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：400V
描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W(Tc) 类型：N沟道
