HXYMOS

深圳市华轩阳电子有限公司专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。其产品范围涵盖：MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。

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SKUS:59 截止时间:2026/03/26

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描述： AO4800 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) 8-SOIC 30V 6.9A 2W 27mΩ@10V,6.9A 1.4V@250uA N沟道

描述： SI2304BDS-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-23 30V 3.2A 750mW 70mΩ@10V,2.5A 3V@250uA N沟道 225pF@15V 4nC@5V55℃~+150℃@(Tj)

描述： SUD19P06-60-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-2(DPAK) 60V 18.3A 60mΩ@10V,10A 2.3W;38.5W 3V@250uA P沟道 1.71nF@25V 40nC@10V55℃~+150℃@(Tj)

描述： SI4800BDY-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 30V 6.5A 18.5mΩ@10V,9A 1.3W 1.8V@250uA N沟道 13nC@5V55℃~+150℃@(Tj)

描述： SMAJ43CA 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SMD 5.8A 69.4V 47.8V 43V

描述： AOD609-HXY 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-4L 40V 30A 40W 26mΩ@10V,10A;38mΩ@10V,7A 2V@250uA 1个N沟道和1个P沟道 1.5nF@20V;1.225nF@20V

描述： SMBJ6.5CA 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SMB(DO-214AA) 500uA 53.6A 600W 11.2V 7.22V 6.5V

描述： HT7130-1 低压差稳压器(LDO) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOT-89 30mA 100mV@(1mA) 固定 3V 正 1 30V

描述： MAX811SEUS+T 监控和复位芯片 HXY MOSFET SOT-143-4 140ms 推挽低电平有效简单复位/加电复位 2.93V 140℃~+85℃@(TA)

描述： SI4178DY-T1-GE3 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) SOP-8 30V 12A 21mΩ@10V,8.4A 2.4W;5W 2.8V@250uA N沟道 405pF@15V 12nC@10V55℃~+150℃@(Tj)

描述： AON6358 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) DFN-8(5x6) 30V 85A 1.8mΩ@10V,20A 48W 1.8V@250uA 100pF@15V N沟道 2.2nF@15V 15nC@10V55℃~+150℃@(Tj)

描述： AOD603-HXY 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET(华轩阳电子) TO-252-4L 60V 20A 50W 40mΩ@10V,15A;80mΩ@10V,10A 2.5V@250uA 1个N沟道和1个P沟道 1.027nF@15V;1.08nF@15V

描述： SMBJ22A 瞬态抑制二极管(TVS) HXY MOSFET(华轩阳电子) SMB 16.9A 1uA 600W 35.5V 24.4V 22V