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关于TRUTHMEMORY

致真存储（北京）科技有限公司，作为中国新一代自旋磁性随机存储器（MRAM）研发与应用的引领者，深耕自旋存储芯片领域近十年，布局于底层机理、材料研究、上层电路、应用级设计、关键制造工艺开发，专注前沿科学技术探究的全方位研发能力，为客户更高端、高可靠、可持续的芯片级解决方案。公司研发的新一代磁性随机存储芯片，采用电子的自旋属性表征数据信息，相较于传统存储器具备超快速读写、低功耗、耐擦写、抗干扰能力及强等独特优势。是下一代非易失存储芯片的理想选择，在人工智能、存算一体、物联网、汽车电子等领域应用前景广阔。