您现在的位置： 首页 > 标签 > 闪存芯片
闪存芯片
闪存芯片
相关文章 : 10篇 浏览 : 2109次

什么是闪存芯片?闪存芯片的作用?闪存芯片的工作原理?
什么是闪存芯片?闪存芯片的作用?闪存芯片的工作原理?
　　什么是闪存芯片?闪存芯片的作用?闪存芯片的工作原理?　　闪存芯片是一种非易失性存储器芯片，用于数据存储和读取。它是一种常见的存储媒介，广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、相机、嵌入式系统等。　　闪存芯片采用了固态存储技术，与传统的硬盘驱动器(HDD)相比，它没有可动部件，因此具有更快的访问速度、更低的能耗和更高的可靠性。　　闪存......
闪存芯片
2023-06-14
7
闪存芯片是什么？闪存芯片有那些？闪存芯片的工作原理？
闪存芯片是什么？闪存芯片有那些？闪存芯片的工作原理？
　　闪存芯片是什么?　　闪存芯片是一种非易失性存储器件，它可以在没有电源的情况下保持存储的数据。闪存芯片通常被用于存储设备中，如固态硬盘、USB闪存驱动器、智能手机和平板电脑等。闪存芯片通过使用闪存技术来实现数据存储和读取，它可以快速、可靠地存储和检索大量数据。　　闪存芯片与传统的RAM芯片不同，RAM芯片需要不断地刷新以保持数据的完整性......
闪存芯片
2023-03-20
86
中欣晶圆：连续成功拉制12寸450公斤投料晶棒，量产可期
中欣晶圆：连续成功拉制12寸450公斤投料晶棒，量产可期
　　2021年8月17日，中欣晶圆首根12寸450公斤投料晶棒问世，该晶棒净重437.7kg，体长2900mm，身长2400mm，良率达到87.6%，相较于之前300公斤投料量时的良率提高了4.6个百分点。9月5日喜报再次传来，第二根12寸450公斤投料晶棒再次拉制成功，参数指标与第一根晶棒相差无异，公司目前已经具备标准化量产12寸450......
动态随机... 闪存芯片 逻辑芯片
2021-09-17
16
年产内存模组3000万条，深科技旗下合肥沛顿存储一期项目封顶
年产内存模组3000万条，深科技旗下合肥沛顿存储一期项目封顶
　　6月26日上午，合肥沛顿存储科技有限公司（以下简称“合肥沛顿”）一期项目封顶庆典顺利举行，这也预示着合肥沛顿存储芯片封测项目有望在年底前实现投产。　　合肥沛顿成立于2020年10月30日，由深科技与国家大基金二期、合肥经开产投、中电聚芯一号共同投资成立，注册资金30.6亿元，主要从事DRAM内存及NAND FLASH闪存芯片封测。根......
内存模组 DRAM... 闪存芯片
2021-06-29
12
TrendForce：三星 NAND 闪存芯片 2020 Q4 市场占比达 32.9%
TrendForce：三星 NAND 闪存芯片 2020 Q4 市场占比达 32...
　　市场研究机构 TrendForce 近日发布全球 NAND 闪存市场报告。报告显示，三星电子 NAND 芯片在 2020 年第四季度销售额达到了 46.44 亿美元，市场份额全球占比达 32.9%。该季度销售额环比降低 3.4%，市场份额占比也下降了 1.5%。　　报告还公布了 SK 海力士的销量数据。2020 年 Q4，该公司 N......
闪存芯片 NAND 闪存制造...
2021-03-09
15
逆势投资，三星斥巨资扩产闪存芯片
逆势投资，三星斥巨资扩产闪存芯片
　　逆向加码？韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂（P2）扩建极紫外光（EUV）晶圆代工生产线（10兆韩元）后，1日再宣布，将以8兆韩元在该厂扩大3D NAND记忆体产能，加上市场推估三星可能再加码DRAM投资15兆韩元，这一波景气危机，三星合计可能加码33兆韩元（约新台币8千亿元）大投资。　　由于三星的半导体策略一向是在景气低迷时扩大......
闪存芯片
2020-06-03
79
东芝发布UFS 3.0闪存芯片 2.9GB/s读写速度比肩SSD
东芝发布UFS 3.0闪存芯片 2.9GB/s读写速度比肩SSD
　　如今UFS 2.1闪存已经成为旗舰机的标配，不过考虑到人们对速度的极致追求，这一标准显然不够。近日东芝正式宣布，全新的UFS 3.0标准闪存已经试产成功，未来东芝将推出128GB、256GB、512GB等规格的UFS 3.0闪存芯片，为移动终端带来更优秀的体验。　　据东芝官方称，全新的UFS 3.0闪存基于96层堆叠BiCS4 3D......
闪存芯片
2019-11-11
68
诺存微电子国内首批高速NOR闪存芯片NM25L256FVA产品发布
诺存微电子国内首批高速NOR闪存芯片NM25L256FVA产品发布
　　　　2019年4月9日-11日第九十三届中国电子(CEF)展盛大开幕，由启迪控股旗下启迪融智基金和启迪阳明基金领投的苏州诺存微电子在昆山团体展中亮相，诺存微电子团队主导研发的国内首批Octa-SPI/Quad-SPI含DTR功能的高速NOR闪存芯片新品一经发布，便引起了业界人士和专业观众的高度关注。　　本次诺存发布的三款产品，采用Oc......
NOR闪...
2019-04-26
111
慧荣科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片SM2263EN和SM2263XT
慧荣科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片SM2263EN和SM2263...
全球闪存控制芯片领导 品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于台北国际电脑展(Computex Taipei)推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范，并以现场实测展现验证其优越效能，为P......
慧荣科技 SSD 闪存芯片
2018-06-12
1037
我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产
我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产
　　位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。　　目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯......
NAND 芯片 存储器
2018-04-17
226
华为P10闪存混用真的没办法,4GB闪存芯片缺货厉害
华为P10闪存混用真的没办法,4GB闪存芯片缺货厉害
华为P10闪存混用真的没办法，供应链缺货太厉害了。目前业内传出消息，闪迪（SanDisk）的货也开始缺了。目前部分4GB颗粒出现缺货，如SDIN7DP2-4G。由于SanDisk计划第三季度要将19纳米产线转到15纳米先进工艺，期间或出现供应紧张状况。有分销商人士表示，闪迪19纳米工艺产品今年第三季度就会停产（EOL），15纳米的4GB产......
华为P1... 闪存芯片
2017-05-03
493
苹果供应商海力士发布72层256G 3D闪存芯片可以提供32GB闪存
苹果供应商海力士发布72层256G 3D闪存芯片可以提供32GB闪存
苹果供应商海力士(SK Hynix)今天发布了72层，256Gb 3D NAND 闪存芯片。这种芯片比 48层技术多1.5倍，单个 256Gb NAND 闪存芯片可以提供 32GB 闪存，这种芯片比 48 层 3D NAND 芯片的内部运行速度快两倍，读写性能快 20%。海力士自从2016年11月开始生产 48 层 256Gb 3D NA......
3D闪存... 海力士 闪存芯片
2017-04-11
296
推荐产品
系统默认图标
MOS1CT52A101J
品牌:KOA
类别：色环电阻
系统默认图标
2108610-5
品牌:泰科/安普
类别：RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
CD4017BE
CD4017BE
品牌:TI
类别：驱动器/收发器/接收器/控制器
系统默认图标
S10451
品牌:SWITCHCRAFT
类别：其他连接器
系统默认图标
BD60GC0WEFJ-E2
品牌:罗姆
类别：稳压器
列表栏目
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计...
选择正确的Kona KA1-MV10405M1 KA1-2010498F1连接器以确保极端环境中的高电流电源完整性
电源管理
选择正确的Kona KA1-MV1040...
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如何设计它们Hammond Manufacturing 1554/1555系列）
工业控制
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如...
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案...
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2A/AK3A系列晶体振荡器）
无线互联
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2...
相关标签
新能源 锂电池 TI ARM MCU 展讯 LTE芯... 智能手表 双照相机 AM43... ARM ... 人工智能 智能语音 芯片 三星 半导体 半导体激... ISL2... 电子元器... 元器件 电子元器... STM3... 定时器 看门狗 电子元器... 指纹识别 STM3... 音频芯片 深圳国际... ICZO... ELEX... 防盗器 802.... 射频微波 摄像头 海思