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硅穿孔
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硅穿孔（英语：Through Silicon Via, 常简写为TSV，也称做硅通孔）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。 TSV 是一种让3D IC封装遵循摩尔定律（Moore's Law）的互连技术，TSV可堆叠多片芯片，其设计概念来自于印刷电路板（PCB）, 在芯片钻出小洞（制程又可分为先钻孔及后钻孔两种, Via First, Via Last），从底部填充入金属, 硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔（via），再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满。此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。

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