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射频氮化镓
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本实用新型涉及射频大功率器件技术领域,特别是一种射频GaN HEMT大功率器件外围馈电及调制电路,包括与电源VCC相连接的电源管理模块,所述电源管理模块的电源管理芯片与电路保护模块的开关管Q3的集电极相连接,所述开关管Q3的基极与电源管理模块的电压变换器相连接,所述开关管Q3与电路保护模块相连接,所述电源管理模块与电源调制模块相连接,所述电源管理模块的电压变换器与输出电压调整模块相连接.采用上述结构后,本实用新型通过跟输出栅极电压的比较,确保漏极电压加载时,栅极电压稳定,使用这套电路过程中,器件不会存在电源掉电等等特殊情况,导致器件烧毁.

Integra推出首款100V射频氮化镓产品/碳化硅(SiC)技术
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　　Integra今天推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100......
射频氮化... 碳化硅 雷达系统
2021-07-19
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