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本发明涉及一种探测器芯片,包括碲镉汞薄膜和芯片结构,芯片结构包括pn结,读出电路和铟柱,pn结形成于碲镉汞薄膜的背面上,读出电路位于碲镉汞薄膜的背面侧并且通过铟柱与pn结连接.另外还涉及探测器芯片的制备方法,包括:将碲镉汞薄膜固定于载体上,其中,碲镉汞薄膜的正面朝向载体;去除碲镉汞薄膜背面的衬底;在碲镉汞薄膜背面上形成pn结,该pn结通过铟柱连接读出电路;去除载体.本发明提供的探测器芯片及其制备方法,通过在碲镉汞薄膜背面成结,该pn结即形成于碲镉汞薄膜的背面高组分材料区(也即外延界面处),可以防止芯片反型,降低探测器芯片的漏电流,增强芯片响应信号,从而显著地提高探测器的工作性能.