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MLX81100
MLX81100
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齐纳二极管D2和D4:5、6 V齐纳电压,可用不同的类型,在实际芯片上进行测试将有助于选择合适的类型,在根据ESD保护的快速响应与根据Vbat的短路造成的高功耗之间进行权衡被制造。 在输出路径(MLX81100)中:将并联的5个1 V齐纳二极管(D1)(用于短路保护)和快速的5,6 V背对背齐纳二极管(D2)用于ESD保护。 电容器C1-C4:可选,为了改善EMC性能,还必须进行测试。