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导通电阻
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　　CBMG719是单刀双掷CMOS开关。CBMG719可在1.8 V至5.5 V的单电源范围内工作，非常适合用于电池供电的仪器以及搭配DAC和ADC产品使用。　　CBMG719功能框图　　IN为数字开关使能，从而控制S1，S2开关，下面是CBMG719功能框图及真值表：　　　　CBMG719典型特征　　● 单电源 ：1.8 V to ......
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　　近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。升级为高......
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　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。　　近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动......
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。TOLL是一种表面贴装型封装，所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属......
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　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 /......
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　　解决电源电路中电容器课题的新技术登场！　　知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一种新的电源技术“Nano Cap ”，使用该技术，可以使包括汽车和工业设备在内的各种电源电路在外置电容器容量为极小的nF级（纳米级： 1纳米为10的负9次方米）时也可稳定控制。　　在电子设备的电源电路中，会使用外置电容器来稳定输出。例如，......
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　　首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mΩ。Vishay Siliconix TrenchFET第四代SiRA99DP导通电阻达到业内 水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。 　　日前发布的MOS......
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2020-08-19
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　　XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。　　封装组件均采用了小型SOT-323-3A（2.1 x 1.25 x h0.95mm)，推动机器小型化。　......
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　Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中M......
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　　特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）、3种XP26系列（60V耐压）作为MOSFET的新产品。　　此次推出的7种产品均是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极......
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东芝2016年6月23日推出了导通电阻较该公司原产品削减约65％的两款负载开关用n沟道型MOSFET，分别为+60V耐压的“SSM3K341R”和+100V耐压的“SSM3K361R”。导通电阻方面，+60V耐压品在栅-源间电压为+4.5V时为36mΩ（标称值），+10V时为28mΩ（标称值）；+100V耐压品在栅-源间电压为+4.5V......
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