您现在的位置： 首页 > 标签 > SiC
SiC
SiC
相关文章 : 7篇 浏览 : 654次

onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC电源模块的介绍、特性、及应用
onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC电源模块的介绍、特...
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC电源模块以紧凑兼容的封装提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模块采用六封装配置的900V SiC MOSFET，具有压合引脚，易于组装并增强了可靠性。该器件包括一个优化的底板上的引脚翅片散热器，并利用烧结技术来提高可靠性和热效率。该模块的设计......
ONSE... NVXR... SiC电...
2024-02-20
7
onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模块的介绍、特性、及应用
onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模块的介绍、特...
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模块可提高效率、功率密度和整体性能。onsemi NVXR17S90M2SPx模块将900V SiC MOSFET集成在一个方便的六封装配置中。该模块具有用于信号端子的压合引脚，易于组装并提高了可靠性。此外，该器件在底板中包括一个优化的引脚翅片散热器，用于有效散热。模具附件采......
ONSE... NVXR... SiC功...
2024-02-20
2
英飞凌CoolSiC汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet双向车载充电器的介绍、特性、及应用
英飞凌CoolSiC汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet双向车载充电器的...
英飞凌凌CoolSiC 汽车用750V G1 SiC沟槽mosfet可帮助电动汽车制造商打造11kW和22kW双向车载充电器，提高效率、功率密度和可靠性。这些器件在高温(T(j,max) +175°C)下可靠地工作，具有英飞凌的专有技术。XT模具贴附技术，在同等尺寸的模具上实现最佳的热阻抗。CoolSiC 750V G1技术提供非常高的鲁......
英飞凌 Cool... 车载充电...
2024-01-25
4
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)场效应管的介绍、特性、及应用
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)场效应管的介绍、特...
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于独特的“级联编码”电路配置的1200V, 23毫欧器件。在这种配置中，一个常开的SiC JFET与一个Si MOSFET一起封装，产生一个常关的SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换Si igbt, Si超级结器件或SiC......
Qorv... UF4S... G4碳化...
2024-01-24
5
Microchip MSC400SMA330碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用
Microchip MSC400SMA330碳化硅(SiC) MOSFET的介绍...
MSC400SMA330是Microchip的SiC MOSFET器件家族的一部分。Microchip的SiC解决方案专注于高性能，有助于最大限度地提高系统效率，最小化系统重量和尺寸。Microchip经过验证的SiC可靠性也确保了终端设备在使用寿命期间不会出现性能下降。特性低电容和低栅极电荷内部栅极电阻(ESR)低，开关速度快在高结温下......
MICR... MSC4... MOSF...
2024-01-23
3
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、及应用
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet的介绍、特性、...
英飞凌CoolSiC 汽车1200V G1 SiC沟槽mosfet提供更高的功率密度、更高的效率和更高的可靠性。粒状产品组合采用to -247-3pin, to -247-4pin和D2PAK-7pin封装的1200V SiC mosfet, R(DS(on))范围为8.7毫欧至160毫欧， ID为+25°C，最大17A至205A。高功率......
英飞凌 Cool... MOSF...
2024-01-22
2
英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块FF4MR12W2M1H的介绍、特性、及应用
英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块FF4MR12W2M1H的介绍、...
英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块为电动汽车充电和其他逆变器设计人员提供了前所未有的效率和功率密度水平。当碳化硅(SiC)半导体用作开关时，在保持高可靠性的同时，允许更高的工作温度和开关频率，从而提高了整个系统的效率。英飞凌的1200V SiC MOSFET模块系列提供卓越的栅极氧化物可靠性，这得益于其最先进的沟槽设计。这些......
FF4M... 英飞凌科... Cool...
2023-12-07
4
德国sick传感器,sick传感器简析及价格
德国sick传感器,sick传感器简析及价格
1、sick传感器简析及价格当代是科技高速发达的21世纪，也就是我们平常所说的互联网时代，同样我们也将其称为信息时代。信息时代是伴随着新技术革命的到来，在刚刚开始的时候我们最重要的就是要获取更加准确以及可靠的信息。因为有这种需求，传感器就从此诞生了。今天小编为大家带来的就是有关于sick传感器的相关介绍。首先，先让我们简单的了解一下sic......
sick...
2023-10-09
6
德国西克传感器公司,sick传感器简析及价格
德国西克传感器公司,sick传感器简析及价格
1、sick传感器简析及价格当代是科技高速发达的21世纪，也就是我们平常所说的互联网时代，同样我们也将其称为信息时代。信息时代是伴随着新技术革命的到来，在刚刚开始的时候我们最重要的就是要获取更加准确以及可靠的信息。因为有这种需求，传感器就从此诞生了。今天小编为大家带来的就是有关于sick传感器的相关介绍。首先，先让我们简单的了解一下sic......
sick...
2023-10-09
5
sick传感器,sick光电传感器怎么打开
sick传感器,sick光电传感器怎么打开
1、sick光电传感器怎么打开sick光电传感器打开步骤操作如下：1、确保传感器正确连接：检查传感器的电源线、信号线以及其他接口线是否正确连接到相应的设备或控制器上。2、检查电源供应：确保传感器的电源供应已接通并提供足够的电力。如果传感器需要外部电源，确保电源适配器或电池具有足够的电力。3、调整传感器参数：根据您的需求和使用场景，通过传感......
sick... 西克传感... sick...
2023-09-12
6
PANJIT 第1.5代SiC肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用
PANJIT 第1.5代SiC肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用
　　PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师设计具有更低散热的高性能系统而开发的。快速恢复二极管(FRD)在关断操作时有一些反向恢复电流，在主开关打开时产生额外的开关损失。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此它可以在更高的开关频率下使用，但它的缺点是由于更高的漏电而导致较低的击穿电压。S......
肖特基势... Panj...
2023-06-05
5
三菱电机US-EVA-01 SuperMini SiC DIPIPM评估试剂盒的介绍、特性、及应用
三菱电机US-EVA-01 SuperMini SiC DIPIPM评估试剂盒的...
　　三菱电机US-EVA-01 SuperMini SiC DIPIPM评估套件包括三相逆变电机驱动组件，用于评估SiC DIPIPM。该套件包括一块EVA11-SDIP SuperMini DIPIPM评估板和一块PSF25S92F6-A 25A/600V SiC DIPIPM。额外的硬件是需要的，如散热器和安装硬件的PSF25S9......
三相逆变... 三菱电机 US-E...
2023-04-18
12
onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MOSFET的介绍、特性、及应用
onsemi nntbg022n120m3s 1200V M3S系列SiC MO...
　　M3S系列SiC(碳化硅)MOSFET为快速开关应用进行了优化，并提供了一个低22毫欧漏源通电阻。M3S系列SiC mosfet在使用18V栅驱动时提供最佳性能，但在使用15V栅驱动时也工作良好。该器件采用平面技术，工作可靠的负栅电压驱动和关闭栅上的尖峰。　　onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC ......
ONSE... nntb... SiC ...
2023-04-18
21
Vishay SiC47x microBUCK 评估板的介绍、特性、及应用
Vishay SiC47x microBUCK 评估板的介绍、特性、及应用
　　Vishay SiC47x microBUCK 评估板是用于SiC47x同步降压稳压器的电源管理IC开发工具。SiC47x稳压器从4.5V到55V输入轨产生可调输出电压至0.8V，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业。SiC47x稳压器有3A (SiC474, SiC479)， 5A (SiC473, SiC478)， ......
SiC4... 同步降压... 电源管理...
2023-04-17
50
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及应用
onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet的介绍、特性、及...
　　onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC mosfet是在F1包中包含一个全桥和一个热敏电阻的电源模块。这些mosfet具有热敏电阻和压合销。NXH0x0F120MNF1模块提供预应用热接口材料(TIM)和不预应用TIM选项。这些模块理想地用于太阳能逆变器，不间断电源，电动汽车充电站和工业电源。NXH0x0F120MNF1......
ONSE... NXH0... SiC ...
2023-04-12
3
onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块的介绍、特性、及应用
onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块的介绍、特性、及应...
　　onsemi NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块是高密度的三电平NPC Q2Pack集成电源模块。这些电源模块结合了高性能igbt和坚固的反并行二极管。NXH400N100H4Q2F2电源模块具有具有现场停止技术的高效沟槽，低开关损耗降低了系统功耗，模块设计提供了高功率密度。这些电源模块具有低电感式布局、低封装高度、结......
ONSE... NXH4... SiC混...
2023-04-12
3
如何以小尺寸为FPGA和ASIC提供低噪声、高密度电源
如何以小尺寸为FPGA和ASIC提供低噪声、高密度电源
　　作者：Bill Schweber　　具有高电流要求的数字IC，如FPGA和ASIC，越来越成为汽车、医疗、电信、工业、游戏和消费类音频/视频等嵌入式系统的中心。其中许多应用都是关键任务，如汽车驾驶辅助系统(ADAS)，以及高可靠性，如数据中心。　　除了电流要求外，这些低压器件的电源轨也有严格的容差规格。以高效、精度、快速瞬态性能、稳定......
FPGA ASIC 高密度电...
2023-04-12
77
碳化硅（SiC）和通往800V电动汽车的道路
碳化硅（SiC）和通往800V电动汽车的道路
　　电动汽车 (EV) 电池系统从 400V 到 800V 的转变使碳化硅 (SiC) 半导体在牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器中脱颖而出。根据市场研究公司IDTechEx的数据，在从350-400 V到800 V的动力系统转变中，有两个驱动器至关重要：更高的直流快速充电(DCFC)功率水平，如350 kW和......
碳化硅 电动汽车 车载充电...
2023-03-03
13
SiC器件将击穿电压扩展到1700V
SiC器件将击穿电压扩展到1700V
　　安森美半导体的1700-V EliteSiC MOSFET和EliteSiC肖特基二极管为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高效的运行。1700V NTH4L028N170M1 MOSFET 为高功率工业系统带来了更高的击穿电压，而两个 1700V 雪崩额定肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)允许设计人员在......
安森美半... 肖特基二... NDSH...
2023-01-10
13
SiC和半导体垂直整合的复兴
SiC和半导体垂直整合的复兴
　　在电动汽车(EV)系统和能源基础设施中，碳化硅(SiC)半导体在处理高功率和导热方面比传统硅更有效的能力现已得到广泛认可。SiC器件有助于更高效地将电力从电池传输到EV系统组件中的电机，从而将EV的行驶里程提高5%至10%。　　新的是芯片制造商如何整合从开发到制造再到封装的SiC供应链部件。随着对先进SiC解决方案的需求不断增长，一个......
电动汽车 碳化硅 晶圆
2022-12-29
15
推荐产品
系统默认图标
MOS1CT52A101J
品牌:KOA
类别：色环电阻
系统默认图标
2108610-5
品牌:泰科/安普
类别：RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料
CD4017BE
CD4017BE
品牌:TI
类别：驱动器/收发器/接收器/控制器
系统默认图标
S10451
品牌:SWITCHCRAFT
类别：其他连接器
系统默认图标
BD60GC0WEFJ-E2
品牌:罗姆
类别：稳压器
列表栏目
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于ML2035低频正弦信号发生器的设计...
选择正确的Kona KA1-MV10405M1 KA1-2010498F1连接器以确保极端环境中的高电流电源完整性
电源管理
选择正确的Kona KA1-MV1040...
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如何设计它们Hammond Manufacturing 1554/1555系列）
工业控制
为什么定制电子系统外壳修改很重要（以及如...
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案
工业控制
基于51单片机的正弦信号发生器的设计方案...
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2A/AK3A系列晶体振荡器）
无线互联
了解并最小化抖动对高速链路的影响（AK2...
相关标签
新能源 锂电池 TI ARM MCU 展讯 LTE芯... 智能手表 双照相机 AM43... ARM ... 人工智能 智能语音 芯片 三星 半导体 半导体激... ISL2... 电子元器... 元器件 电子元器... STM3... 定时器 看门狗 电子元器... 指纹识别 STM3... 音频芯片 深圳国际... ICZO... ELEX... 防盗器 802.... 射频微波 摄像头 海思