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LN2516汽车灯芯片(IC)方案

来源: 我爱方案网
2018-07-30
类别:汽车电子
eye 907
文章创建人 拍明


应用领域:汽车电子

方案类型:芯片级方案

主控芯片:LN1516

方案概述

二功能平均电流型 功能平均电流型 功能平均电流型 LED 恒流驱动器 恒流驱动器 恒流驱动器 恒流驱动器

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■ 产品 概述

LN 2516是一款外围电路简单, 采用自主知识产权的 VF PWM连续工作 模式,适用于 模式,适用于 6-100V 全电压范围的非隔 离式恒流LED驱动芯片

LN 2516 采用了 PWM工作模式,在应用中可以采较 工作模式,在应用中可以采较 小值的电感,可以有效节省整机空间。 小值的电感,可以有效节省整机空间。 LN 2516 通过对 通过对 MODE端口进行控制实现二 功能切换。 功能切换。 MODE悬空时为高亮模式, 为高亮模式, MODE接高时为低亮模式 ,其中低亮电流为高的 ,其中低亮电流为高的 ,其中低亮电流为高的 50% 。

■ 用途

 直流或交流输入LED驱动器

 RGB 背光LED驱动

 电动自行车照明

 汽车照明等

■ 产品 特点

 宽输入电压范围:6V~100V

 效率 88%

 输出电流范围:100mA~3.5A

 电源内置7V稳压管

 平均电流工作模式

 内置抖频电路

 内置100V功率管

 过温时减小输出电流

■ 封装 形式

 eSOP8 SOP8


【LN2516替代二功能LED汽车灯芯片LN2556方案原理】

LN2516产品概述:LN2516 是一款外围电路简单,采用自主知识产权的VFPWM连续工作模式,适用于8-100V 全电压范围的非隔离式恒流LED驱动芯片。LN2516 的工作频率为160K,由于采用了PWM 工作模式,因此在应用中可以采用较小值的电感,可以有效节省整机空间。LN2516 通过对MODE 端口进行控制实现二功能切换。MODE 悬空为高亮模式,MODE 接高为1/2 (50%)电流的低亮模式。产品特点:宽输入电压范围:8V~100V高效率:可达80%输出电流范围:100mA~3.5A160KHz 开关频率内置6V 稳压管平均电流工作模式内置抖频电路有控制器版本和内置功率管版本用途:LED电动自行车照明LED汽车照明等封装:SOT23-6LESOP8原理图

LN2516替代二功能LED汽车灯芯片LN2556方案原理.png

当实现高亮、低亮功能时,低亮为高亮的1/2倍,平均检测电压VCS电压为0.2V,为了系统高低亮都能够有较好的恒流一致性,建议所选择的电感在高低亮时电流都在CC模式,当芯片工作在最高工作频率120KHZ,关断时间Toff最大时接近于系统的开关周期T(高压输入低压输出时,Ton时间很短),由低亮时电感电流工作临界模式时可得公式:L=(VLED*Toff)/(1/2*ILED*2)≈VLED/(ILED*F)当VLED=6.4V, ILED=1.5A,F=120KHZ时,为保证高低亮电感都能工作CC模式电感L>6.4/(1.5*120*103)=35uH当系统工作频率为120KHZ时,ILED=1.5A,VLED=6.4V时,为了电感电流在高低亮时都保持连续模式,且保证系统在在低压输入时,芯片降低工作频率段电感电流还可以工作在连续模式,电感感值需选择较大些,这里选择100uH. 电感线径:因为IOUT为1.5A, 线径D=1.13*(IOUT/J)^1/2,其中J为电流密度,这里取6那么D=1.13*(1.5/6)^1/2=0.36mm,取0.565mm。

电感峰值电流:ILpeak=ILED+VLED*Toff/2L ≈ILED+VLED/2(L*F)

=1.5A+6.4/(2*80*10-6*120*103)

=1.83A故选择的电感的峰值饱和电流应大于1.83A。3.2.启动电阻R1,R2输入电压通过R1/R2电阻给芯片VDD脚供电,但当V_DC+输入电压较低时,供电电流较小,芯片自适应降低工作频率以保证较高的驱动电压以优化工作效率,由于频率的降低,此时可能需要较大感值的电感才能满足电感电流连续。而芯片正常工作所需Iin工作电流与系统开关频率成正比,为了保证系统在低输入电压下能够有较好的工作特性,需要R1,R2尽量提供足够的的Iin电流以供芯片驱动功率管高频开关使用,但同时需要考虑降低高压输入时R1,R2的功耗。综合考虑,这里取R1/R2阻值为3.6K。PR1/R2=(VDC+-VDD_CLAMP)2/(R1+R2)file:///C:/Users/cjtdz/AppData/Local/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image001.gif如R1/R2选择3.6K,最高输入电压为80V,得到PR1/R2=(80-6)2/7200=0.76W,需要选择功率合适封装的电阻进行串并联。3.3.采样电阻 芯片采用平均电流检测模式,且检测电压VCS=0.2V,故RCS=VCS/ILED=0.2V/1.5A=0.133Ω

这里取相近数值0.2Ω//0.47Ω 1206/1%(根据实际电流细微调整)3.4.防反接二极管,续流二极管 二极管反向耐压值VRRM>VINmax=80V,尽量选择恢复时间快、导通压降小的二极管,这里选择SS210作为输入防反接二极管;SS310作为续流二极管。3.5.输入端整流滤波电解电容 为了电路的工作性能更加稳定,输入端需要放置滤波电容,根据不同输出功率选择合适的电容,在选择电容时需要考虑其耐压,ESR等,尽量选择高频低阻的电容以降低电容的ESR损耗。4.注意事项在芯片VDD供电支路限流电阻R1/R2的允许功耗下,可以选择较小等效值,如7.2K等,图中虚线框内R_L可以根据实际应用情况选择是否放置与选择的参数。芯片VDD端电容应尽量靠近芯片的VDD-GND脚,MODE端的下拉电阻与电容应尽量靠近芯片MODE与GND脚,且对应器件的GND端尽量与功率GND分开。RS电阻应尽量靠近芯片的CS-GND脚,以减小布线造成的误差。




责任编辑:David

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