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即将100%国产的28nm、14nm芯片

来源: zhihu
2021-12-07
类别:业界动态
eye 58
文章创建人 拍明

原标题:即将100%国产的28nm、14nm芯片

  2020年8月19日央视财经援引国务院发布的相关数据显示,中国芯片自给率要在2025年达到70%,而2019年我国芯片自给率仅为30%左右。

  


  综合Gartner等知名机构的观点,90%的芯片需求,都可以通过14nm、28nm来满足。28nm和14nm是相对成熟的工艺,非常有利于在相应时间范围内提高芯片的自给率。

  具备28nm芯片代工能力的企业包括中芯国际和上海华虹半导体等。

  中芯国际14nmFinFET技术已于2019年第四季度进入量产,代表了中国大陆自主研发集成电路的最先进水平,今年4月中旬有消息称中芯国际14nm芯片的良品率已达到90%-95%。

  我国大陆地区在28nm的技术节点和各个环节均有完整的覆盖,通盘来看已经具备了28nm技术节点100%国产芯片的量产能力,由此预计28nm有望成为100%国产芯片的新起点,且国产28nm芯片有望在今年实现量产;

  大陆拥有28nm及以下晶圆厂的企业包括中芯国际、上海华力微、合肥长鑫等。

  国产设备可进入28nm及以下晶圆制造产线的厂商包括华海清科、沈阳拓荆、盛美半导体、北方华创、中微公司、沈阳芯源、屹唐半导体、中科信、睿励和广立微等。

  去年6月,上海微电子宣布,最快将在2021年交付第一台28nm工艺的国产沉浸式光刻机。

  


  中国电科已成功实现离子注入机全谱系产品国产化,工艺覆盖至28nm。

  烁科中科信研发的中束流离子注入机达到了国外同类型设备水平,产品已经批量进入市场,大束流离子注入机工艺覆盖至28nm。

  北方华创在2018年推出的国产首台销售的ALD(原子层沉积设备)可实现28nm-14nm的Fin FET等工艺要求。北方华创的PVD设备和沈阳拓荆的CVD设备已可用于28nm工艺生产。PECVD设备方面,沈阳拓荆成功进入中芯国际、华力微电子28nm生产线。

  南大光电的ArF光刻胶已经在28nm工艺节点有所突破。

  在14nm工艺阶段,中微半导体的介质刻蚀机已经可以满足全球最先进的5nm工艺,已经获得了包括台积电、中芯国际在内的主要集成电路制造业的订单。北方华创已经有了一定数量交付的lCP刻蚀机,可用于14nm芯片刻蚀生产。盛美半导体的清洗机设备,进入产线14nm验证,提前覆盖国内最新制程。

  

(中芯国际生产线)


  当然,14nm部分领域的国产设备还有待进一步验证和迭代,大陆地区在14nm芯片装备、工艺、封装、材料等方面的系统部署,加上最近中芯国际基于DUV光刻机14nm芯片的良品率达到90%-95%,将会进一步充分激发上游设备及材料端以及中下游封装测试等配套产业链的国产替代加速,预计14nm芯片个环节将会快速得到完善,14nm工艺的芯片实现100%国产替代也将大超预期。

  期待这一天的早日到来!


责任编辑:David

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标签: 28nm 14nm DUV光刻机

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