方案概述

　　传统微波炉采用磁控管加热，经常烹煮加热不均匀，且有较宽频带电磁泄露。而新型射频微波炉采用全新的射频发射器技术，这项新技术能精确控制辐射的周期、位置和能量。更令人诧异的是，用来发射能量的发射器本身还能感测食物的火候，同时射频信号使用的1MHZ窄频技术根本不会干扰到Wi-Fi。在外形上，与传统微波炉必须造成方形(受限于磁控管的设计原理)不同的是，新型微波炉可以是你想象的任意形状，此外，它的发射器是固态的，使用寿命也会更长。

　　器件优势

　　• 大功率功放管PXAC243502FV，采用28V供电，输出功率高达350W，产品设计余量大;

【PXAC243502FV】

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor350 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz

Description

The PXAC243502FV LDMOS FET is a 350-watt LDMOS FET de-signed for use in power amplifier applications in the 2300 MHz to 2400 MHz frequency band. Features include an asymmetric design with high gain and a thermally-enhanced package with earless flange. Manufactured with Infineon's advanced LDMOS process, this device provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

• Asymmetric design- Main: 150 W P1dB- Peak: 200 W P1dB

• Broadband internal matching

• CW performance at 2350 MHz, 28 V- Ouput power = 250 W P1dB- Efficiency = 46%- Gain = 16 dB

• Integrated ESD protection

• Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

• Low thermal resistance

       • Pb-free and RoHS-compliant

PXAC243502FV系列

PXAC243502FVV1XWSA1

PXAC243502FVV1R0XTMA1

PXAC243502FVV1R250XTMA1

　　• 大功率衰减器33A702630.00F，能承受功率高，衰减值高达30dB，简化了设计;

　　• 高频板材RO4350B插损低至0.0031，发热低，性价比高，使得产品可靠性更好。

【RO4350B™层压板】

RO4350B™是一款具有专利的用编织玻璃布增强的碳氢树脂体系/陶瓷填料的材料，它的电性能非常接近于PTFE/编织玻璃布材料而可加工性又类似于环氧树脂/玻璃布的材料。

RO4350B能够采用标准的环氧树脂/玻璃布的加工工艺，同时提供严格控制的介电常数以及损耗，而其价格却是传统微波材料的几分之一。甚至不需要像基于PTFE的微波材料那样进行特殊的镀通孔前处理或者操作程序。

RO4350B材料通过了应用于有源设备以及高压射频设计所必须的UL 94V-0防火等级。

典型应用

蜂窝基站天线和功率放大器

微波点对点连接(P2P)

汽车雷达和传感器

射频识别(RFID)标签

       用于直播卫星的高频头(LNB)

     【微波射频集成电路】

　　微波射频集成电路是无线通讯领域的核心技术，是国际芯片设计领域公认的最难设计的集成电路品种。在所有的手机中，大约一半的芯片成本来源于微波射频芯片。

　　根据双方的协定，联合研究中心将构建完整的微波射频集成电路开发体系和3G系统构架，为通信企业提供从芯片建模、设计、流片、调试、优化、测试的全方位服务。中心将在3年内建成具备微波射频芯片、模块及终端产品设计开发的国内一流微波射频开发中心，具备3G通信芯片、通用芯片及专用芯片的开发能力。双方原有知识产权或自主开发的知识产权属各自拥有。