0 卖盘信息
BOM询价
您现在的位置: 首页 > 电子资讯 >新品快报 > 小体积高耐压,纳芯微推出RS-485接口专用隔离芯片

小体积高耐压,纳芯微推出RS-485接口专用隔离芯片

来源: 中电网
2021-05-10
类别:新品快报
eye 21
文章创建人 拍明

原标题:小体积高耐压,纳芯微推出RS-485接口专用隔离芯片

  国内优秀的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)宣布推出高性价比三通道数字隔离器NIRS31及RS-485接口隔离芯片NIRS485。NIRS31/485采用创新的Adaptive OOK®电容隔离技术,具有低辐射噪声、高抗干扰性,适用于各类对成本敏感的应用场合,如电力电表、工业BMS、楼宇自动化等。

  小体积,高耐压

  NIRS31/NIRS485具有典型值150kV/μs的瞬态抗扰度、6KV的浪涌耐压,更易通过系统级浪涌测试,并减少外围保护器件。4.9mm×3.9mm的SSOP16小封装,使其更适用于高集成度方案,帮助工程师大幅节省PCB尺寸和布板空间。NIRS31/NIRS485现已通过CQC及UL认证,隔离耐压达3kVrms,可满足各种系统安规需求。此外,纳芯微从芯片设计、晶圆制作到封装测试全部国产化,保证了供应的稳定性。

(来自:DFI 官网)

  更简易,更节能

  与分立高速光耦隔离方案相比,NIRS31集成度更高,数据速率达1Mbps,在满足性能指标的同时节省了更多成本。与485接收器加光耦的分立方案相比,NIRS485简单易用,使其不仅节省了电路板尺寸,也大幅节省了客户的物料管理成本。

  NIRS31产品特性

  · 高达3000Vrms的绝缘耐压

  · 数据速率DC到1Mbps

  · 供电电源电压:2.5V至5.5V

  · 高CMTI(典型值):±150kV/μs

  · 芯片级EMC性能: HBM:±6kV

  · 浪涌耐压 >6kV

  · 低功耗:1.5mA/ch (1 Mbps)

  · 低传输延时<500ns

  · 工作温度,-40℃~125℃

  NIRS485产品特性

  · 高达3000Vrms的绝缘耐压

  · 总线侧电源电压:3.0V至5.5V

  · VDD1电源电压:2.5V至5.5V

  · 高CMTI(典型值):±150kV/μs

  · 较高的系统级EMC性能:总线引脚符合IEC61000-4-2±8kV ESD

  · 浪涌耐压 >6kV

  · 故障安全保护接收器

  · 支持256个收发器

  · 工作温度:-40℃~105℃



责任编辑:David

【免责声明】

1、本文内容、数据、图表等来源于网络引用或其他公开资料,版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方将及时处理。

2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。

3、本文内容仅代表作者观点,拍明芯城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。

4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载拍明芯城将保留追究其法律责任的权利。

拍明芯城拥有对此声明的最终解释权。

相关资讯