美光科技有限公司今日在2017年全球超级计算大会(SC17) 上宣布推出 32GB NVDIMM-N 这一全新产品，其容量是现有 NVDIMM 的两倍，为系统设计人员和原始设备制造商 (OEM)带来了新的灵活性，在快速持久存储器中处理更大的数据集。

这款解决方案的设计旨在满足数据分析和联机事务处理应用在性能、能效和正常运行时间方面不断增加的要求。与使用传统远端存储的服务器配置相比，部署 NVDIMM 最高可以将性能收益提升 400%。

随着数据中心存储容量的不断提高，企业对于更高可用性的需求不断上升，数据库查询将主要数据集保留在内存中以提高访问速度的需求也不断增多。许多企业都认识到在处理器近端部署快速存储以减少从远端存储传输数据的需求所带来的价值正不断提升。

通过以超快的 DRAM 速度处理关键数据，持久存储器在延迟、带宽、容量和成本之间实现了独有的平衡。而让其在普通服务器 DRAM 中独树一帜的原因在于，它能够在断电的情况下保存信息。美光科技的先进技术为近端存储数据分析提供了独到的解决方案，解决了金融、医药、零售以及石油和天燃气勘探等市场中承载海量数据的应用不断攀升的带宽需求。

由于兼具 DRAM 的性能级别和 NAND 的持久可靠性，NVDIMM 已经成为至关重要的持久性存储技术，并缩小了内存和存储之间的带宽差距。

需要经常更新信息(如元数据的全日志或事务性日志记录)的应用现在能够利用 NVDIMM 实现这些功能，而不再是传统的远端存储。利用美光科技的 NVDIMM，客户在处理块级数据时能够将以读为主的性能提高 11%，将以写为主的性能提高 63%。

“随着数据集变的越来越大，数据访问对于应用性能来说也变得愈加重要。”美光科技计算和网络产品事业部高级副总裁 Tom Eby 表示，“我们的全新 32GB NVDIMM-N 为系统架构提供了高容量、持久性的存储解决方案，可大幅提升数据吞吐量并降低总体拥有成本。”

VMware 和 Dell 正与美光科技携手提高虚拟化应用的性能。利用虚拟的持久性存储器，客户现在可以在虚拟化环境中运行多个操作系统，同时减少整体网络流量。

“作为云基础设施和业务移动化领域的全球领导者，VMware 很早就认识到美光 的NVDIMM-N 能够为使用 Dell PowerEdge 服务器的虚拟化客户大幅降低数据库和本地存储延迟。”VMware 首席平台架构师兼服务器平台技术副总裁 Richard A. Brunner表示，“通过使用搭载了美光 16 GB NVDIMM-N 的 Dell PowerEdge 14G 服务器，未来版本的 VMware vSphere(R) 旨在有效增加数据中心内虚拟化持久性存储工作负载的数量和规模，同时为 NVDIMM确保实时迁移、检查点操作、传统存储优化等优势。Vmware期待着当服务器行业开始为客户部署美光 32 GB NVDIMM-N 时，上述提升得以实现。”

“持久性存储解决方案让我们的客户可以优化密集型数据库和分析工作负载。”Dell EMC 公司副总裁、技术领导人兼服务器部门首席技术官表示，“美光科技在持久性存储产品领域的发展以及 Dell EMC 公司为增强 PowerEdge 服务器的 NVDIMM 性能在工程方面的努力将会为我们的客户提升应用性能、缩短系统崩溃的恢复时间以及增强 SSD 的耐用性。”

在 SC17 的展会上，搭载于 Dell PowerEdge 14G 服务器的美光 NVDIMM 全新持久性存储解决方案将在美光科技展位(1963 号)上进行演示。

关于美光科技

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营，美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。

Micron Technology(美光科技)：位于美国爱达荷州首府博伊西市，于1978年由Ward Parkinson、Joe Parkinson、Dennis Wilson和Doug Pitman创立，1981年成立自有晶圆制造厂。

美光科技有限公司(以下简称美光科技)是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技

先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域，为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。

在1990年代初期，美光科技成立Micron Computers(美光电脑)子公司来制造个人电脑，该公司即后来的Micron Electronics(美光电子)。美光1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。美光于2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂，主要生产DRAM和NAND快闪存储器。