随着2D技术微缩瓶颈凸显，2016年三星、东芝、美光、SK海力士等纷纷扩大或加快3D NAND投产。三星最早在2013年以24层投入3D NAND生产，2016年主要量产32层和48层3D NAND，将在年底前开始出货64层3D NAND，预计年底前3D NAND生产比重可提升至40%。

2016年除了三星，东芝、美光、SK海力士等也在加快投入3D NAND，东芝已出样64层3D NAND，美光和SK海力士在2017年也将分别投入64层和72层3D NAND生产，同时东芝Fab 2、美光Fab 10x已开始进入投产阶段，再加上SK海力士M14在2017年投产，3D NAND市场竞争已进入白热化阶段。 20161010-3DNAND-1 三星除了2013年在中国西安兴建3D NAND专用工厂，还在2016上半年将华城Fab 16改造成48层3D NAND产线，以及计划在2016年底启动Fab 17产线量产3D NAND，现在提前平泽厂的投入时间，可以预见三星在2017年的3D NAND产能将会大增。

三星为了稳固在3D NAND市场的领先地位，以及满足市场对高存储密度和高性能NAND Flash的需求，据韩媒etnews 4日报导称，三星平泽厂将提前三个月投产，目前平泽厂的建筑工事进入尾声 ，正修筑工厂外墙，预计12月完工，紧接着开始设备投资，购买无尘室设施和晶圆生产仪器等。

据早期报道，三星在2015年投资兴建平泽存储器工厂，第一阶段投资规模达15.6兆韩元，再投入10兆韩元，总投资规模将达25兆韩元以上，主要用于发展10nm工艺和3D技术，预计在2017年投入生产，未来将成为三星重要存储器生产基地。 20161010-3DNAND-2西安三星工厂于2014年5月竣工，产能配置还是传统2D闪存

此外，中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地之一，三星12英寸闪存芯片工厂（西安）一期工程投资规模高达441亿元，可以生产最先进的10纳米级闪存芯片，去年发布950 Pro时三星就提到西安工厂是最早量产48层堆栈3D闪存的工厂。

3D NAND

固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

对于这个问题，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。

平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。

3D NAND闪存有什么优势？

 在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。

 相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。

3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势

    传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。