原标题：逆势投资，三星斥巨资扩产闪存芯片

　　逆向加码？韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂（P2）扩建极紫外光（EUV）晶圆代工生产线（10兆韩元）后，1日再宣布，将以8兆韩元在该厂扩大3D NAND记忆体产能，加上市场推估三星可能再加码DRAM投资15兆韩元，这一波景气危机，三星合计可能加码33兆韩元（约新台币8千亿元）大投资。

　　由于三星的半导体策略一向是在景气低迷时扩大投资，业界认为，三星近期可能会再宣布在P2厂DRAM产能追加投资计划。

　　新冠肺炎疫情及中美贸易战导致市场不确定性大增，三星一如过往选择在景气低迷时大举投资，以确保在晶圆代工及记忆体市场的竞争力。据外电报导，三星1日宣布将扩建平泽二厂的3D NAND生产线，5月已开始进行无尘室施工，预计2021年下半年进入量产，与同样位于平泽二厂的晶圆代工EUV生产线一起启用。

　　三星虽然没有公布此次扩建3D NAND产能的投资金额，但业界预估大约投入约8兆韩元（约65亿美元），将可增加每月2万片的12吋晶圆产能，明年下半年会量产三星最先进的100层以上3D NAND产品，预估第一批投产的产品会是第六代V-NAND。

　　记忆体模组业者指出，美国总统大选年底结束，新冠肺炎疫情明年应会明显缓和，所以记忆体市场明年将会是多头年，包括资料中心、笔电及平板、智能手机等搭载容量将大幅提高，其中，笔电及智能手机搭载512GB及1TB储存容量将成市场主流。三星现在启动扩产计划，明年下半年进入量产，正好可赶上下一波NAND Flash需求爆发时间点。

　　三星NAND Flash生产线主要分布在韩国华城厂区、平泽厂区、以及中国西安厂区。其中，中国西安厂二期及平泽二厂已积极扩建无尘室及增建生产线，其中西安厂二期将用于投产100层以下3D NAND的第五代V-NAND，平泽二厂则会生产100层以上3D NAND的第六代V-NAND。

　　三星平泽二厂是综合型晶圆厂，一层楼规画建置EUV晶圆代工及3D NAND生产线，另一层楼则追加DRAM生产线。在三星宣布5奈米EUV晶圆代工及3D NAND产能扩建计划后，业界认为三星应很快会宣布DRAM产能扩建计划（金额推估将达15兆韩元），同样在明年下半年量产。