变容二极管又称"可变电抗二极管"。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。

　　图 是变容二极管的电路图形符号。

　　变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。

　　变容二极管有玻璃外壳封装(玻封)、塑料封装(塑封)、金属外壳封装(金封)和无引线表面封装等多种封装形式、如图所示。通常，中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装，而功率较大的变容二极管多采用金封。

　　变容二极管的构造原理

　　变容二极管的构造原理、简化等效电路及电路符号

　　变容二极管的构造原理参见图1(a)。从本质上讲，它属于反偏压的二极管，其结电容就是耗尽层的电容。可近似反耗尽层视为平行板电容器，两个导电板之间有介质。因此，结电容C1的容量与耗尽层的宽度d成反比，有公式C1∝1/d，又因为d与反向偏压VR的n次方成正比(n是与掺杂浓度有关的常数)，故C1∝1/VRn，因此，反向偏压愈高，耗尽区就愈宽，而结电容量愈小。反之亦然。(a)图中，VR1>VR2，故d2>d1，Cj2<CJ1。< p>

　　变容二极管的简化等效电路及电路符号分别如图1(b)、(c)所示。图中用一只可变电容来表示结电容。R2是半导体材料的电阻。

　　变容二极管的正负极区分

　　选择500型万用表的R×1k档。首先将红表笔接一端，黑表笔接另一端，若测得电阻值为6.5kΩ，与此同时记下表针倒数偏转格数n′≈19.7格。然后交换管脚位置后重新测量，电阻值变成无穷大。由此判定第一次为正向接法，正向电阻为6.5kΩ，正向导通电压VF=0.03V/格×9.7格=0.59V。第二次则属于反向接法。该管子具有单向导电性，并且靠近红色环的管脚为正极。欲测量变容二极管的结电容，可选用100pF量程的线性电容表。

　　变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。它的主要参量是：零偏结电容、零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围和截止频率等。

　　变容二极管它和发光二极管的特点不一样，变容二极管一般是通过利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，他一般是当着可变电容器在高频调谐和通讯等电路中使用。当变容二极管的反向偏压增加时，塔索造成电容会减少。相反方向偏压减少，造成电容增加。

　　变容二极管作为一种特殊的二极管，当他的外加顺向偏压时，由大量电流产生PN结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应;当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。变容二极管可以根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体，所以变容二极管也可以当做可变电容器使用。

　　由于变容二极管的用能众多，所以它被广泛的使用在各个行业。所以做成变容二极管的材料也比较特殊。一般使用硅或者砷化镓作为变容二极管的材料。