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NTS2101PT1G的功能特点与应用
来源：
华强电子网
2019-07-18
类别：基础知识
76
拍明
原标题：NTS2101PT1G的功能特点与应用
NTS2101PT1G是一款P沟道功率MOSFET，提供-8V漏源电压和-1.4A连续漏极电流。它适用于高端负载开关，充电电路，单体电池应用，如手机，数码相机和PDA。
一、NTS2101PT1G的功能特点
1. 领先的Trench技术可实现低RDS(ON)，延长电池寿命
2. -1.8V额定用于低压栅极驱动
3. 表面贴装，占地面积小(2 x 2mm)
4. -55至150°C工作结温范围
二、NTS2101PT1G的应用范围
电源管理，便携式设备，工业
责任编辑：David
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