基于PN8370M+PN8305L的六级能效小体积5V2A充电器方案
原标题:六级能效小体积5V2A充电器方案
本期为大家介绍芯朋微热门方案 PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案。
该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点,备受工程师青睐!
1.封装及脚位配置图
PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
2.PCB及DEMO实物图
PCBA尺寸:42.0mm*31.6mm*13mm(板上高度)
3.方案典型应用图
4.方案特性
PCBA尺寸:42.0mm*31.6mm*13mm板上高度(小体积)
输入电压:90~265Vac全电压
输出功率:10W
平均效率:>78.7%,满足六级能效要求(高效率)
待机功耗:<50mW,Vin=264Vac(低待机)
PN8305L双供电全工作状态无直通风险(高可靠性)
拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB端3.1V以下),VDD过压保护,FB分压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻Rcs开短路保护,过温保护(保护功能齐全)
5.测试数据
(温度数据:CH1环境;CH2 PN8305L;CH3 PN8370M;CH4 ABS10;CH5 变压器线;CH6 变压器铁芯)
6.EMC测试
EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求,裕量均大于6.0dB
ESD满足IEC61000-4-2,8kV/15kV等级要求
EFT满足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等级要求
Surge满足IEC 61000-4-5:2005,1kV等级要求
交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求
7.应用要点
PN8370M工作在DCM模式,忽略传输瞬态Tr和Tf,导通时间、去磁时间和振荡时间分别为:
PN8370M在T2时间内间接采样输出电压信号,为减小漏感振荡对采样的影响,最小T2时间应足够长:
备注:电源在小负载工况下,PN8370M的Vcs=0.17V以避免音频噪音。
PN8305L须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断,其最小导通时间由RT电阻设定:
因此RT电阻中心值建议为:
责任编辑:David
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