原标题：第三季DRAM价格预估持平，DDR3具成本优势短期仍为主流

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。展望第三季，预期DDR4利基型内存报价水平将较接近主流标准型与服务器内存，因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动。整体而言，第三季利基型内存价格走势预估将持平。

DDR3具成本优势，短期仍为利基型记内存主流

就产品应用种类观察，首先在利基型内存需求大宗的电视，今年出货量持稳，约为2.157亿台。不过就搭载的DRAM而言，考虑SiP封装具有节省零组件成本或PCB面积的优势，FHD电视的SoC已有超过7成以SiP封装的型式出货;低端4K TV在成本考虑下，亦开始逐步导入SiP。然而因温度限制，采用SiP封装方式的DRAM仅能搭载DDR3内存。

观察终端售价，目前相同容量的DDR4与DDR3仍有2成以上的价差，而TV主芯片因两种内存规格都兼容，因此DDR4在利基型内存中的渗透率上升速度十分缓慢，甚至有新开案的电视机种回头采用DDR3。DRAMeXchange认为，在DDR4价格没有回落至接近DDR3之前，或说只要PC或服务器所采用的DDR4价格维持在高水位，DDR3就仍会是利基型内存的主流，预期此现象最快可能要到2019年底才有机会扭转。

以太币价格持续下跌，DDR3 1Gb内存拉货热潮告终

至于虚拟货币市场，虽然比特币价格近期有止跌反弹的迹象，但内存需求量高的以太币矿机E3(每台需576颗)受以太币持续跌价影响，原本预期今年下半年会出现的强劲拉货动能已消失，连带让DDR3 1Gb的价格上涨预期落空。DRAMeXchange认为，在以太币价格回升到一定水位，或在支持高颗数内存的全新挖矿机种出现前(且该币种单价要高到足以吸引玩家加入挖矿)，其所带起的内存拉货热潮恐暂告一段落。

【2018年全球 DRAM 及 NAND 价格走势分析】

最近，市场研究机构 Yole 发布了季度内存相关报告，称过去一年DRAM和NAND贡献巨大的内存市场，将在2018年取得类似的成功。内存将有望占2018年半导体总收入的1/3以上，大大超过约25%的历史平均水平。

DRAM 价格上涨23%

根据2017年的增长趋势推测，预计DRAM价格在2018年将上涨23%(上半年价格上涨33%/ 2H上涨16%)。此外，预计出货量将增长22%。

这一组合将使DRAM收入从730亿美元上升51%至1110亿美元。 DRAM 的关键需求是移动和数据中心，移动需求几乎达到40%，数据中心需求约为25%。

目前，三星、SK海力士、美光控制了大约95%的DRAM 市场。尽管资本投资接近历史最高水平，但这三家公司都在管理自己的业务，以保持盈利。

NAND情况稍有缓和

Yole预计2018年价格下降15%，而出货量预计增长45%。此外，预计收入将从540亿美元上升到23%，达到660亿美元。

其中关键需求部分与DRAM类似，移动占约36%的需求，数据中心(企业SSD)约占需求的21%，PC(客户端SSD)约占需求的24%。 预计总体SSD需求将达到NAND总需求的约45%。

NAND的竞争格局依然非常活跃。三星正在平泽市投资建设新晶圆厂;英特尔正在成为一个重要的中国市场供应商;东芝内存业务确认出售给贝恩资本(Bain Capital)领导的财团。

竞争格局将生变

Yole表示，中国在内存领域的投入(长江存储和其他诸多项目)，将有可能破坏目前的竞争格局。

来源： YoleDéveloppement，2018年6月

除了手机、数据中心和固态硬盘之外，人工智能和物联网预计将成为内存市场强劲的需求推动力，从2018年开始并延伸到未来。虽然边缘计算的出现会降低每个设备的内存容量，但整体设备的大幅增加将导致巨大的内存需求。

虽然中国有可能影响内存市场竞争格局，然而距今仍需要几年时间。到目前为止，中国已经投资数十亿美元来推动内存行业的发展。例如长江存储及其NAND产品将率先进入内存市场，2018年底/ 2019年初推出产品。Yole认为，长江存储仍需要几年的时间才能赶上老牌厂商。

另外，合肥长鑫和福建晋华项目也取得一定进展，合肥长鑫有希望于今年年底，诞生首个自主研发的DRAM芯片，晋华项目预计2018年8月正式投产。

总体来说，近几年内存市场格局基本维持目前状况，根据Yole 预测2018年DRAM价格将上涨23%，NAND价格下降15%。