氮化镓(GaN)是第三代半导体材料，具有显著特点和优势，在电力电子、射频电子、光电子以及新能源汽车、充电设备、光伏发电等多个领域展现出巨大的应用潜力和广阔的市场前景。根据集邦咨询数据报告显示，全球GaN功率器件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。我们已经能在市面上看到各种氮化镓快充头。
根据集邦咨询数据报告显示，以2022年的营收排名，PI以20%的市占率排名第一，其次为Navitas（17%）、英诺赛科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。英飞凌收购GaN Systems后，两者市场份额可提升至15%，可与EPC并列第四。
氮化镓技术已逐步向光伏、汽车、数据中心等应用场景延伸。上期我们盘点了第三代半导体碳化硅：《
58家碳化硅主要玩家及产品
》，本期我们盘点氮化镓的主要玩家及产品。
MACOM的MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，以高性能硅基氮化镓实现225 - 2600 MHz极宽频带、10W连续波输出功率、高达40%的典型功率附加效率 (PAE)、22dB典型功率增益，以及高达36V的工作电压（典型值28V）。采用带有集成镀金铜散热器的14x18 mm紧凑型气穴层压封装，可以避免PA架构不匹配的情况，因此无需额外的组件和PCB空间。此外，其顶端和底端安装可配置性有助于提升PA模块的安装灵活性和散热敏捷性。该宽带PA模块兼具50Ω 全匹配、 两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安装可配置性，为无线电设备提供前所未有的设计灵活性，以实现严格尺寸、重量和功率 (SWaP) 规格之间的平衡。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM) 领域。2023年MACOM收购了Wolfspeed的射频业务（包括GaN业务），还收购了OMMIC。
Transphorm的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS，均采用硅基氮化镓衬底技术，该技术将高压氮化镓场磁场效应管与低压硅MOSFET集成在一起。两款产品是采用4引脚TO-247封装（TO-247-4L）的新型SuperGaN®器件，分别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻，分别配备一个开尔文源极端子，可为高功率服务器、可再生能源以及工业电力转换领域提供更全面的开关功能。2024年Transphorm已被瑞萨电子收购。
GaN Systems提供当今市场上最全面的氮化镓功率晶体管产品线，包括 650V 和 100V，工作电流范围为 4A 至 150A的产品。为了满足广泛的功率水平、热要求和 BoM 目标，GaN Systems 提供采用常见 PDFN 封装和嵌入式封装的晶体管，并提供顶部冷却或者底部冷却等不同形态的产品。为了满足汽车市场的需求，GaN Systems 的产品组合包括符合AEC-Q 和 AutoQual+ 标准的产品。2023年GaN Systems已被英飞凌收购。
罗姆的650V GaN HEMT产品型号GNP1150TCA-Z，内置了ESD保护元件，使其静电耐受能力比普通GaN HEMT提高了约75%，而这有助于提高应用产品的可靠性，从而被台达应用到其Innergie品牌的45W输出快速充电器C4 Duo中，提高了产品性能和可靠性的同时也实现了小型化。该产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
罗姆面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源，推出的集成650V GaN HEMT和栅极驱动器等于一体的Power Stage芯片BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB，通过替换现有的Si MOSFET，可将器件体积减少约99%，功率损耗减少约55%。
德州仪器的LMG3622是一款650V 120mΩ GaN功率FET，适用于开关模式电源应用。LMG3622通过在8mmx5.3mm QFN 封装中集成功率 FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。
德州仪器100V GaN功率转换器LMG2100R044和LMG3100R017，得益于GaN技术的较高开关频率，设计人员可以将中压应用的电源解决方案尺寸缩小40%以上，并实现卓越的功率密度(高于1.5kW/in3)。与硅基解决方案相比，该全新功率转换器件产品系列还将开关功耗降低了50%，并且在给定较低输出电容和较低栅极驱动损耗的情况下实现98%或更高的输出功率。例如，在光伏逆变器系统中，较高的密度和效率使得同一块太阳能电池板能够存储和生成更多电能，同时可缩小整个微型逆变器系统的尺寸。
6、PI
PI面向汽车、家电及工业类应用推出的900V PowiGaN芯片——InnoSwitch-3系列的900V反激式开关芯片，InnoSwitch-3系列是一个高度集成的反激方案。该芯片在单一封装当中同时集成了初级和次级电路，使用快速的数字隔离反馈方式–FluxLink™，空载功耗低于10mW，基于PowiGaN的芯片在整个负载范围内的效率高达95%，在封闭式适配器应用当中无需散热片即可实现高达100W的输出功率。
宜普（EPC）的EPC2361，是一颗具有低1mΩ导通电阻的GaN（氮化镓）FET。EPC2361采用紧凑的QFN封装（3mm x 5mm），不仅节省了空间，还提高了系统的功率密度。其导通电阻低至1mΩ，与上一代产品相比，功率密度翻倍，使得电源转换效率大幅提升，降低了能耗和散热问题。此外，EPC2361的RDS（on）最大值与面积乘积仅为15mΩ*mm²，相比传统硅MOSFET，体积缩小超过五倍，实现了更高的集成度和更优秀的性能，为DC/DC转换、快充、马达控制和太阳能MPPT等应用提供了更高效、更可靠的电源解决方案。
EPC的EPC9159是一款48V/12V LLC转换器，专为高密度48V服务器电源和DC-DC转换器而设计。EPC9159封装较小，仅为17.5 mm x 22.8 mm，而其功率为1kW，功率密度为5130 W/cm3。在初级电路和次级电路中采用开关频率高的GaN功率开关，便可实现这一点。EPC9159设计中使用的电源拓扑基于LLC拓扑。应用的LLC由初级全桥、固定比率平面变压器、次级中心同步整流器组成。初级全桥使用4个EPC2619，即额定电压为80V的3.3mΩGaN晶体管，次级使用6个EPC2067，即额定电压为40V的1.3mΩGaN晶体管。电流为25A时，EPC9159的功率级效率达到98%，电流为83A，电压为12V时，其满载效率达到96.2%。该设计非常适合人工智能和高级游戏等高密度计算应用。
EPC Space的EPC7009L16SH，一款抗辐射GaN栅极驱动器IC。基于EPC专有的eGaN IC技术构建，使设计工程师能够释放eGaN FET技术的真正潜力，eGaN晶体管正在成为太空领域需要更高开关频率、功率和辐射硬度的应用的首选晶体管。EPC7009L16SH应用包括高速DC-DC转换、电机驱动器、电源开关/执行器和卫星电气系统。
意法半导体的EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1是两款集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管，这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。EVLMG1LPBRDR1的导通电阻RDS(on)为150mΩ，额定电流为10A，适合最高功率500W的应用。空载功耗只有20mW，支持高转换效率，使设计者能够满足行业严格的待机功耗和平均能效目标。EVLMG4LPWRBR1定位最高功率200W的应用，导通电阻RDS(on)为225mΩ，额定电流为6.5A。
意法半导体的VIPerGaN100和VIPerGaN65均采用5mm x 6mm QFN封装，用于高达100W和65W功率的单开关准谐振（QR）反激式转换器。每个器件都集成了一个脉宽调制（PWM）控制器和一个650V增强型GaN功率晶体管，并允许使用标准光耦合器进行副边调节。该器件采用 5mm x 6mm QFN 封装，小尺寸和高级集成可确保卓越的功率密度并节省物料清单 （BoM） 成本。宽带隙晶体管技术提高了能效并简化了热管理。这种紧凑且高度集成的设计面向USB-PD充电器、家用电器、智能楼宇控制器、照明、空调、智能计量和其他工业应用的开关模式电源（SMPS）。
量芯微的1200V GaNFET GPIHV30DFN和GPIHV30SB5L，GPIHV30DFN采用的是8*8 DFN的内置引脚封装，GPIHV30DDP5L采用的是TO263-5封装。由于GPIHV30DFN采用的是DFN的封装方式，为保证功率器件在高压状态下开关的可靠性，GaNPower将S-D爬电距离设置为2.8mm，保留了充足的安全距离。同时，GPIHV30DDP5L封装采用了GaNPower独特的专利设计，为器件加入了凯文接线和小型输入电容，用以降低浪涌电压。该系列芯片的额定击穿为1200V，GaNPower为保证芯片工作的稳定性，在芯片设计时提高了150V的电压裕量，避免在工作过程中出现瞬态尖峰击穿元件。同时，该系列芯片的导通电阻Rds为60Ω，并通过低导通电阻的方式降低系统损耗，提高系统的转换效率。该系列氮化镓功率器件的开关速度比碳化硅功率器件快10倍，非常适用于构建电动汽车车载充电器和电机驱动的功率转换器，从而提高电动汽车续航里程，减少碳排放。
VisIC的V22TG D3GAN，其采用了先进的鸥翼引线式顶部冷却隔离封装，导通电阻为22mΩ，可支持各种系统配置，包括器件并联、全桥拓扑、半桥拓扑、功率因数校正（PFC）电路。V22TG D3GAN专为包括OBC、燃料电池、混合动力电动汽车在内的AEC-Q101标准汽车应用而设计，其电压能力为650V，尺寸小巧，仅为19.7x13.6mm（包括引线）。它还适用于服务器电源、数据中心、太阳能逆变器和各类工业应用。
纳微半导体（Navitas）的GaN功率IC将GaN功率FET、栅极驱动和保护功能集成在一起，以高速控制和保护GaN功率开关。纳微半导体的NV6169是一款采用 GaNSense技术的650/800V大功率GaNFast芯片，可满足400~1000W 4K/8K电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500W太阳能微型逆变器、1.2kW数据中心SMPS和4kW电机驱动等高功率应用场景。2022年纳微半导体收购了GeneSiC。
Cambridge GaN Devices （CGD）的CGD65A055S2是一款GaN晶体管。CGD的ICeGaN 650V H2系列是一种增强型（eMode）硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率晶体管，为了让器件在效率上能够得到进一步提升，器件内采用了包括创新性全集成 NL3电路，集成米勒钳位的先进箝位结构等创新设计。相较于业界最佳的Si MOSFET，其QG降低了10倍，QOSS降低了5倍，在350W SMPS（开关电源）应用中，效率高达95%。H2系列降低功耗的手段还包括内部集成电流检测功能，无需单独电流检测电阻器。另外，由于器件可直接焊接到接地平面的大面积覆铜区域，可以帮助优化散热和EMI，有助于实现更高的系统功率密度，适用于消费电子、工业电子、汽车电子，还是超大功率应用、可再生能源等领域。
安世的GAN041-650WSB是一款GaN FET，采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能，为设计人员提供极大的灵活性。该器件具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。另一款GAN039-650NBB采用CCPAK封装，将导通电阻值进一步降低到39mΩ（最大值，25℃的典型值为 33mΩ）。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准，可满足汽车应用的要求，同样非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
英诺赛科的150V GaN器件INN150FQ070A具备超低导通电阻，采用FCQFN封装小体积封装，在导通损耗和驱动损耗方面具备显著优势，另一款650V GaN器件INN650TA030AH，采用 TOLL 封装，又能实现良好的散热效果。相比传统Si方案，2kW 微逆体积减小约20%，功率器件损耗减小35%，显著提升了系统性能和功率密度。适用于英诺赛科针对微型逆变器领域开发的2kW参考设计方案，功率密度达40W/in^3，帮助微型逆变器不断突破设计和性能极限。
英诺赛科的60V增强型氮化镓功率芯片INN060FQ043A，采用 FCQFN 3mm*4mm 封装，导通电阻 4.3mΩ，在与40V InnoGaN芯片INN040FQ043A封装尺寸及导通电阻保持一致的基础上，将耐压等级提升到60V，确保更大功率输出，同时实现小体积，低损耗，高频高效等优势。该款产品同样满足工业级可靠性要求，主要应用于高频DC-DC转换器、笔记本电脑充电器、移动电源等应用场景。
润新微的RX65T300PS2H和RX65T300HS2A是两款氮化镓开关管，并使用同步整流，提高转换效率。RX65T300PS2H是一颗Cascode级联结构的氮化镓开关管，器件耐压为650V，导阻240mΩ，采用TO220封装。RX65T300HS2A是一颗Cascode级联结构的氮化镓开关管，器件耐压为650V，导阻240mΩ，采用DFN8*8封装。RX65T300PS2H和RX65T300HS2A均支持20V栅极电压，可兼容传统控制器，简化驱动电路，同时栅极耐压有足够的裕量应对开关过程中的电压过冲等不利因素，避免造成器件的潜在损伤和失效。润新微氮化镓开关管具有DFN5*6，DFN8*8与TO220多种封装形式，产品技术成熟，栅极驱动电压安全区间大，应用简单，并已通过JEDEC可靠性测试，产品满足消费电子，工业电子和汽车电子应用需求。下图是润芯微采用RX65T300PS2H和RX65T300HS2A推出的一款双管反激（QR Turbo）拓扑的氮化镓开关电源DEMO方案。
润新微是采用IDM模式，已与国内多家半导体功率器件及下游电源厂商展开深入合作，开发基于氮化镓器件的新一代各类电源产品，包括新能源汽车车载充电机、数据中心服务器电源和高端电机驱动等。润新微提供650V/900V多规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。润新微电子氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单，只需配合栅极电阻调节开关速度，引脚套磁珠抑制EMI干扰；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
氮矽科技的DXC3065S2F最高支持500瓦LLC、AHB大功率快充应用，具有高效率、高功率密度和高可靠性的特点，可广泛应用于电动汽车、充电桩、数据中心、太阳能逆变器等领域。
氮矽科技的DXC0765S2C是一款集成650V增强型氮化镓晶体管及驱动器的合封氮化镓芯片，耐压650V，导阻400mΩ，最大漏源极电流7A，单极正电压门极驱动电压0V~6V，支持3.3V和5V控制信号，开关速度超10MHz，具有零反向恢复损耗。采用反激式的电路拓扑可支持20W < Po < 65W输出功率的产品应用。
氮矽科技的DXC3510S2CA是一款驱动集成氮化镓芯片，它具有许多出色的特性。这款芯片内部集成了一颗增强型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器，是一颗可承受100V耐压，12mΩ 导阻，最大漏源极电流35A的增强型氮化镓晶体管，具有零反向恢复损耗。采用DFN5×6封装，占板面积小，无反向恢复电荷，并且导通电阻极低。为高功率密度应用提供超小型化的解决方案。
东科的DK8710Q是一款AHB半桥氮化镓芯片，内置两个开关管，在合封氮化镓芯片高集成度高可靠性的基础上，将能量充分利用，降低损耗，进一步提升充电器整体的转换效率，降低温升和散热需求，让充电器变得更加便携。该芯片待机功耗低于50mW，能够满足严苛的能效要求，芯片支持宽范围电压输出，极大简化了大功率PD充电器设计。同时搭配PFC电路，输出功率可以达到150W，能够满足现阶段PD3.1快充，140W输出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解决方案。
纳芯微的GaN驱动NSD2621，一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管，NSD2621的上管驱动采用隔离技术进行设计，共模瞬变抗扰度高达150V/ns，并且可以耐受700V的负压，有效提升了系统的可靠性。
纳芯微的集成化的Power Stage产品NSG65N15K，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管，工作电流可达20A。NSG65N15K内部还集成了自举二极管，并且内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能，可以用于图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑。NSG65N15K是9*9mm的QFN封装，相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动，加上外围元件，总布板面积可以减小40%以上，从而有效提高电源的功率密度。同时，NSG65N15K的走线更方便PCB布局，有利于实现简洁快速的方案设计。NSD2621和NSG65N15K均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。
镓未来的G1N65R240PB是一款氮化镓PFC开关管，一颗耐压650V的氮化镓功率器件，瞬态耐压800V，标称导阻240mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计。G1N65R240PB相较于市面上其他产品，其栅极更坚固，反向压降更低，可靠性更强，整体性能处于行业领先水准。G1N65R240PB采用PQFN8*8封装，散热焊盘为源极，减小高频走线面积，提升EMI性能。这款氮化镓器件适合PFC校正电路、逆变电路、半桥或全桥电路、采用QR或ACF反激拓扑架构的充电器等多种场景应用。
能讯半导体的DOD1H2425-600EF，是一款基于GaN的射频微波能2.4-2.5GHz 600W产品，采用陶瓷1230封装，尺寸32*9.4*4.52mm，满足微波能应用对于器件高效、高可靠性需求。针对微波能应用场景下连续波不间断加载的特点，能讯半导体进行了热阻特殊设计，实现适用于连续波应用的低器件热阻特性，DOD1H2425-600EF热阻参考值：单side热阻（FEA）为0.7°C/W。DOD1H2425-600EF在200°C结温下，其MTTF达到10^7小时，10倍于正常标准下的10^6小时，极大的提升了系统长期运行可靠性。
能华的CoreGaN氮化镓器件CE65H600TOEI，耐压650V，瞬态耐压800V，导阻为600mΩ，较低的门极电荷，较低的动态导通电阻，开关速度快，损耗低，可以大大提高系统能效；另外其驱动电压范围±20V，大大提高了系统可靠性，可提供比传统硅（Si）器件更高的效率，具有显著的优势。这颗器件采用TO-252 封装，成本低，热容大而且热阻小，这种封装可以拓展器件的功率应用范围，有很强的散热能力和耐热冲击能力，使系统具有更高的热可靠性。
能华的CE65E300DNYI，是一颗DFN5*6封装的增强型氮化镓器件，耐压650V，瞬态耐压750V，导阻为300mΩ。相比传统Si MOSFET器件，这颗GaN器件能大大提升系统效率、功率密度，减小系统尺寸及重量，并降低系统成本。相比市场上其他E mode GaN产品，其Vth要高60%，保证了在各种应用场景的驱动可靠性，无需负压关断，PCB Layout也变得更容易。
聚能创芯的CGL65R190B是一款耐压650V，导阻170mΩ的增强型氮化镓开关管，支持高频开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。CGL65R190B采用PQFN8*8封装，可应用在65-120W功率段反激主功率开关管，100W功率段 PFC主功率开关管，200W功率段LLC主功率开关管。
聚能创芯的CGK65R400B是一款耐压650V，导阻300mΩ的增强型氮化镓开关管，支持高频开关，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，符合JEDEC的标准级应用认证。CGK65R400B采用PQFN5*6封装，适用于高压AC/DC转换，可应用在30W功率段反激主功率开关管，120W LLC主功率开关管。
镓宏半导体的GSR065D046是一款650V、35mΩ氮化镓 (GaN) FET采用GSR Semiconductors Gen IV平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。Gen IV 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。
镓宏半导体的GSR900D035系列900V、50mΩ 氮化镓 (GaN) FET为常关型器件。它通过结合先进的高压GaNHEMT与低压硅MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷提供比硅更高的效率。
典芯科技的CC65H600TOAIF采用TO-220F封装，性价比高，散热性能好，应用在36W适配器上甚至能取消散热材料。CC65H270TOEI采用TO-252封装，性价比极高，GSD脚位，EMC性能优秀，减少散热及人工成本，应用在60W适配器上，在12V/5A满载/264V/90°&180°测试条件下，在打差模4KV的时候，其VDS已达到824V, 此时系统仍在正常工作, 验证了其优异的抗浪涌雷击性能。
26、致能
致能的两款1200V D-Mode高可靠性氮化镓器件，ZN120C1R070W采用TO-247封装，导通电阻为70mΩ；ZN120C1R300P采用TO-220封装，导通电阻为300mΩ。在满足1200V系统可靠性条件下，本征击穿已经达到2400V，这两个型号产品均结合了致能最新的高压氮化镓HEMT和低压硅 MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能，可广泛用于工业、新能源、以及汽车等领域。
Wise-integration的WI62120，是一款120mOhm 650V增强模式GaN-on-silicon的半桥电源电路，采用6x8 PQFN封装，它利用GaN的固有特性为30W至3kW的高效率和高密度功率转换应用（包括AC/DC、DC/DC和DC/AC）提供更好的电流能力、电压击穿和开关频率。可为电力电子设计人员提供更高水平的功率密度、性能和成本效益。目标市场领域包括消费类（例如用于移动和桌面设备的超快速充电器）、电动汽车和工业AC/DC电源，以及使用无桥图腾柱功率因数转换(PFC)有源钳位反激式(ACF)、双电感单电容(LLC)谐振转换器，以及同步降压或升压半桥拓扑结构的设计。
Qorvo的QPB3810是一款基于氮化镓（GaN）的功率放大器模块（PAM），集成适用于5G大规模MIMO（mMIMO）应用的偏置控制；作为一款高度集成的前端低噪声放大器（LNA）模块，针对 5G TDD 系统。这些器件扩展了 Qorvo 面向 mMIMO 应用的广泛产品组合，是全新 RF 前端参考设计中的关键构件，可加速 mMIMO 系统的采用。
博瑞集信的BRGF016030PHG是一款采用GaN HEMT工艺设计实现的内匹配功率放大器，该产品漏端采用28V供电。本产品针对卫星通信应用设计，工作频段为1.6GHz~1.65GHz，具有极高的功率附加效率，且得益于产品内部匹配设计，用户仅通过少量外部器件即可应用于系统设计。产品采用金属陶瓷管壳封装，具有良好的可靠性。
普能微的氮化镓（GaN）射频功率放大器系列，包括GNQ6010、GNQ6030、GNC6010、GNC6030、GNC6050、GNC60100六款产品。该GaN系列产品设计全部采用普能独特电路设计方案，为客户设计低成本塑封和高可靠性陶瓷封装满足不同市场需求，同时支持宽带应用覆盖DC-6GHz主流应用，可应用于4G和5G移动通信基站、专网通信、多天线相控阵、射频电源、射频能量等产品中。
恩智浦的32T32R有源天线系统 (AAS) 的分立式射频前端解决方案，该方案利用其新型专有氮化镓 (GaN) 技术开发而成。该新方案和现有64T64R分立式GaN功率放大器解决方案一起形成一个射频前端解决方案系列，覆盖了2.3至4.0GHz的所有蜂窝网络射频频段。与64T64R射频前端解决方案相比，恩智浦32T32R射频前端解决方案采用相同的封装实现了两倍输出功率，因此整个5G连接解决方案更小巧轻便。其引脚兼容性允许网络运营商在频段和功率等级方面迅速扩展。
住友的两款GaN射频功率管：SGN3135-500H-R和 SGC0910-300A-R，分别支持3.1-3.5 GHz（S-band）和9.0-10 GHz（X-band）两个频段，主要应用于雷达系统，输出功率分别为500W和300W，两个器件的供电电压均为50V。
33、三菱电机
三菱电机的MGFS48G38MB是一款GaN功率放大器模块，该模块可在3.4GHz至3.8GHz的宽频段范围内提供8W（39 dBm）的平均输出功率。值得关注的是，该产品具有43%以上的高功率附加效率，可适用于64T64R mMIMO天线*3。其中，高效率和低失真源于三菱电机的新型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），宽带特性利用了独特的电路设计和高密度封装技术。该模块用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站，有助于降低5G mMIMO基站的功耗。
亚德诺的HMC7885和HMC7748，两款高性能氮化镓(GaN)功率放大器(PA)模块，它们针对2 GHz至6 GHz频率范围的应用，包括测试和测量、通信、替代行波管(TWT)、航空监控、雷达等应用领域。这些完全集成的全固态器件扩展了ADI现有的GaN功率放大器系列，使用方便，可以加快原型开发和系统设计。
埃赋隆半导体的两款宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这些器件提供了低偏置下的宽带高线性度特性，从而提高了宽带线性度水平（在从饱和功率5dB回退时三阶互调低于-32dBc；在2:1带宽上回退8dB时则低于-42dBc）。宽带线性对于当今国防电子设备中所部署的频率捷变无线电至关重要，在对抗性的通信信道中，宽带线性的晶体管可以处理多模式通信波形（从FM信号到高阶QAM信号）。这些要求苛刻的应用需要晶体管本身具有更好的宽带线性度。埃赋隆半导体的第3代GaN-on-SiC HEMT晶体管可满足这些扩展的宽带线性度要求。
泰高技术的TTHB100NM 是一款集成2颗增强型氮化镓650V 100mΩ 氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。它采用低电感 8mm×10mm QFN 封装，低电感封装的集成驱动器允许在高压和高频中安全运行。开关频率高达2MHz，传输延迟低至 50ns，支持 50V/ns dV/dT 抗扰度, 外围元器件精简，具有非常紧凑和简便的布局，可实现灵活快捷的设计。它具有12V~20V的宽电源工作范围，可应用在DC–DC转换、逆变器、手机/笔记本充电器、LED/电机驱动、图腾柱无桥PFC 应用、高频LLC转换器、服务器/AC-DC电源、有源钳位反激等场景中。
37、力智
力智的氮化镓半桥芯片uP9801Q，器件内置两个耐压100V，5.6mΩ的氮化镓开关管，内置氮化镓驱动器，具有两个独立的PWM信号输入端子，可独立控制，无需外置元件。相当于电脑主板上使用的DrMOS，uP9801Q具有极高的集成度，高效的转换效率以及优秀的散热能力。uP9801Q内部采用低电感连接方式，减小了传统打线工艺带来的寄生电感和电阻，高频性能更好的同时，实现了0.625mm的超薄厚度。高度集成化的芯片设计优化了寄生参数对性能的影响。芯片内部集成自举二极管，自举电容和VCC滤波电容。降低PCB面积占用，并降低器件数量。
38、远创达
远创达的NME6003H和NU4012H，是两款28V通用型GaN射频功率器件，规格分别是150-3000MHz 15W和900-3000MHz 60W，GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管) 因其具备的高功率密度、低寄生参数和高截至频率 (Ft) 等固有特性，可广泛应用于宽带及超宽带通信、移动通信、测试及测量放大器、商业脉冲放大器、线性放大器、工业/科技/医疗等领域。
氮化镓功率器件的应用场景正从低功率消费电子红海向中大功率储能、家电、电动工具等消费电子拓展，并逐渐延伸至 ICT（通讯基站、服务器/区块链）、工控、新能源、光伏、电力等工业领域，其经济效益和市场潜力巨大。氮化镓产品的应用和发展对提升能源使用效率、实现碳中和碳达峰具有极高社会价值。根据Yole数据显示，2022年消费类电子GaN市场规模1.461亿美元，预计2028年达到13.07亿美元。
随着业界对氮化镓熟悉度和应用经验增加，其使用量将急剧上升，带动市场价格下降，进而推动其更大规模使用，形成良性循环。因此，尽早掌握和使用氮化镓功率半导体对工程师提升产品竞争力、知名度及自身能力意义重大。本文对工程师熟悉和选型功率半导体有一定参考借鉴价值。
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