PN结是采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面形成的空间电荷区。PN结具有单向导电性，即正向导通、反向截止的特性。当正向电压达到一定值时，电流随电压成指数变化，具有非线性特性。PN结由P型半导体和N型半导体相结合而成，其中P型半导体富含正电荷，N型半导体富含负电荷。当这两种材料接触时，电子会从N型区域向P型区域流动，而空穴（缺少电子的位置）则会从P型区域向N型区域流动。

PN结的特性主要体现在两个方面：整流作用和电压响应。当外加电压施加在PN结上时，如果正电压施加在P型区域，而负电压施加在N型区域，电子和空穴的流动将被限制，形成“正向偏置”，电流得以通过。反之，当施加相反的电压时，电子和空穴的流动会被阻碍，形成“反向偏置”，电流无法通过。此外，PN结还具有光电效应，即当光照射到PN结上时，光子的能量将激发电子和空穴的产生。

PN结作为半导体器件的基础结构，应用广泛且多样化，是构成各种半导体器件的基本组成单元之一。如需更多关于PN结的信息，建议查阅物理学或半导体技术相关领域的专业书籍。