常用mos管型号参数表

以下是一些常用的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号及其一般参数的示例：

1. IRF540：

• 最大承受电压（Vds）：100V

• 最大导通电流（Id）：33A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

• 开启电阻（Rds(on)）：0.077Ω

2. IRF3205：

• 最大承受电压（Vds）：55V

• 最大导通电流（Id）：110A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

• 开启电阻（Rds(on)）：0.008Ω

3. IRL540：

• 最大承受电压（Vds）：100V

• 最大导通电流（Id）：33A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：1V至2V

• 开启电阻（Rds(on)）：0.044Ω

4. IRLZ44N：

• 最大承受电压（Vds）：55V

• 最大导通电流（Id）：47A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：1V至2V

• 开启电阻（Rds(on)）：0.022Ω

5. BS170：

• 最大承受电压（Vds）：60V

• 最大导通电流（Id）：0.5A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：0.8V至3V

• 开启电阻（Rds(on)）：5Ω

6. 2N7000：

• 最大承受电压（Vds）：60V

• 最大导通电流（Id）：0.2A

• 栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）：0.8V至3V

• 开启电阻（Rds(on)）：5Ω

以上数据只是一些示例，并不代表所有 MOSFET 的参数。在选择 MOSFET 时，应根据具体的应用需求，如电压、电流、开关速度、功耗和封装等因素进行选择。另外，务必查阅相关的数据手册以获取确切的参数。