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IXYS ix4352ne9a低侧SiC MOSFET和ight驱动器(栅极驱动器)的介绍、特性、及应用
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IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器是栅极驱动器，设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT。IXYS IX4352NE栅极驱动器具有独立的9A源和接收输出，允许定制的导通和关断时间，同时最大限度地减少开关损耗。内部负电荷调节器提供用户可选择的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快的关断速度。
去饱和检测电路检测SiC MOSFET过流状态并启动软关断，防止潜在的破坏性dV/dt事件。IN非反相逻辑输入兼容TTL和cmos，内部电平移位器提供必要的偏置以适应负栅驱动偏置电压。IX4352NE保护功能还包括UVLO检测和热关闭。漏极故障输出向微控制器发出故障信号。IXYS IX4352NE采用热增强的16引脚窄SOIC封装。
特性
分离9A峰值源和汇输出
V(DD)-V(SS)工作电压范围高达35V
内部电荷泵调节器为可选的负栅极驱动偏压
饱和检测与软关闭汇驱动程序
TTL和cmos兼容输入
欠压闭锁(UVLO)
热关机
漏极输出
应用程序
车载充电器
直流-直流转换器
电动汽车充电站
电机控制器
电源逆变器
功能框图
责任编辑：David
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