德州仪器LM74912-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背n沟道mosfet。该功能是为了模拟一个理想的二极管整流器，具有电源路径开/关控制，过压，欠压和输出短路保护。3V至65V的宽输入电源允许保护和控制12V和24V汽车电池供电的ecu。该设备可以保护和承受负电源电压低至-65V的负载。集成的理想二极管控制器(DGATE)驱动第一个MOSFET，以取代肖特基二极管，用于反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中有第二个MOSFET，该器件允许在使用HGATE控制的过流和过压事件的情况下负载断开(ON/OFF控制)。该器件具有集成电流感测放大器，可提供基于外部MOSFET VDS感测的短路保护，并具有可调的电流限制。当在输出端检测到短路情况时，器件锁存断开负载断开MOSFET。该装置具有可调的过压切断保护功能。该设备具有SLEEP模式，可实现超低静态电流消耗(6µa)，同时在车辆处于停车状态时为始终ON的负载提供刷新电流。德州仪器LM74912-Q1的最大额定电压为65V。

特性

• AEC-Q100符合汽车应用要求

• 设备温度等级1(环境工作温度范围-40℃~ +125℃)

• 功能性Safety-Capable

• 可提供的文件，以帮助功能安全系统的设计

• 3V至65V输入范围

• 反向输入保护低至-65V

• 驱动外部背对背n沟道mosfet在共同漏极配置

• 理想的二极管工作与10.5mV的A到C正向压降调节

• 低反向检测阈值(-10.5mV)，快速响应(0.5µs)

• 20mA峰值栅极(DGATE)导通电流

• 2.6A峰值DGATE关断电流

• 过压、欠压保护可调

• 输出短路保护与MOSFET锁存状态

• 超低功耗模式，2.5µA关机电流(EN=Low)

• 6µA电流的SLEEP模式(EN=High, SLEEP=Low)

• 满足汽车ISO7637瞬态要求，具有合适的瞬态电压抑制(TVS)二极管

• 提供4mm × 4mm 24针VQFN封装

应用程序

• 汽车电池保护

• ADAS域控制器

• 信息娱乐和集群

• 汽车外部放大器

• 主动环冗余电源

功能框图