1、分立(晶体管)施密特触发器电路图

　　另一条电路(来自霍洛维茨和希尔)如下所示。电路几乎相同，只是Q2的基极不接地。发射极电压 Ve 在这里很重要。如果输入处于低电压，则当 Q1 的基极升至高于 Ve 0.7V 时，Q1 关闭且输出变低。由于来自 Q1 的额外电流，Ve 在接近该点时上升。当Q2饱和时Ve降低，因此必须进一步降低输入电压以关断Q1并重新建立原始状态。构建电路并对其进行测试，测量 VE 作为 Vin 的函数，从低到高，然后再次回到低，记录转换电压。

　　使用示波器的 XY 显示可以更轻松地完成此操作。要扫描输入电压并将其显示在 CH 1 上，请使用函数发生器，同时电路的输出由 CH 显示。通过这种方式很容易确定触发电压。您可以看到下面的图表。箭头表示变化的方向。 “迟滞”一词源自希腊语，意为“子宫”，封闭区域是选择该术语的原因。该电路可以被称为具有记忆，因为电路的状态取决于过去的历史。

　　2、使用经典单稳态电路的闪光触发器电路图

　　这是一个闪光触发(光驱动)电路，可产生具有恒定预定宽度的脉冲。该电路可用于控制任何需要与光触发/闪光灯同步的设备。脉冲可以用来驱动继电器(经过适当的功率缓冲后，驱动其他电路逻辑，或者电子开关。我们称之为脉冲展宽器，因为短的闪光会被转换成较长的固定宽度。闪光的持续时间可以不一致但电路会产生一致的脉宽，这是由10uF电容和4.7k电阻决定的(可以更换电容以获得不同的脉宽设置)。

　　3、施密特触发器电路图

　　这是施密特触发器电路。该电路产生简单的比较器动作。它是“发射极耦合”。该电路具有明显的磁滞环和快速转换动作，因为该电路使用 2N3565 双极型高 hFE 晶体管。 2N3069 JFET 在测量输入上产生非常小的负载。

　　4、正电源可控硅和双向可控硅触发器电路图

　　当触发器件所需的栅极电流高于控制电路输出电流能力时，必须放大控制电路输出电流。例如，如今许多 MCU 的输出引脚的电流能力约为 30 mA。借助 IGT，他们可以安全地切换高达 15 至 20 mA 的双向可控硅。

　　如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必须由此类 MCU 控制，则以下是两种解决方案。首先，并联使用多个 MCU 输出引脚(最好是在每个输出引脚和 Triac 栅极之间使用单独的栅极电阻，以确保每个引脚之间良好的电流重新分配)。其次，使用如下示意图所示的双极晶体管。

　　对于双极解决方案，唯一的方法是使用 PNP 晶体管来保持栅极电流。为了将其驱动参考设置为稳定的偏置，必须使用 PNP 晶体管，在本例中即为电源 (Vdd)。

　　这是正电源拓扑的另一个缺点。必须使用PNP晶体管代替NPN晶体管来放大控制电路输出电流。与 NPN 晶体管相比，PNP 晶体管的电流增益较低，但价格较高。