英飞凌科技1200V CoolSiC M1H模块为电动汽车充电和其他逆变器设计人员提供了前所未有的效率和功率密度水平。

当碳化硅(SiC)半导体用作开关时，在保持高可靠性的同时，允许更高的工作温度和开关频率，从而提高了整个系统的效率。英飞凌的1200V SiC MOSFET模块系列提供卓越的栅极氧化物可靠性，这得益于其最先进的沟槽设计。

这些电源模块封装在行业标准的EASY封装中，可以根据不同的应用需求进行定制，并提供各种R(DSon)电平和电路配置，如3级，半桥接或6包。所有EasyPACK 和EasyDUAL MOSFET功率模块都可以预先应用热界面材料(TIM)订购，并提供其他功能。采用高性能氮化铝(AlN)陶瓷的Easy模块特别提高了R(thJH)的热性能。

与硅(Si)相比，宽禁带碳化硅(SiC)半导体具有更高的突破电场、更显著的导热性、更高的电子饱和速度和更低的本征载流子浓度等优点。基于SiC材料的这些优势，SiC mosfet可用于高功率应用的开关晶体管，例如用于车载/车载电动汽车(EV)充电器的太阳能逆变器。

好处

·更高频率运行
·增加功率密度
·效率最高，减少冷却努力
·降低系统和操作成本

特性

• 与硅相比，开关损耗降低约80%

• 优异的栅氧化可靠性

• 具有低反向恢复电荷的本征体二极管

• 最高阈值电压V(th)大于4V

主打产品

FF4MR12W2M1H_B70
·双配置
·简易2B外壳
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低电感设计
·低开关损耗
·高电流密度
·改进的陶瓷基板
·集成NTC温度传感器
·按fit接触技术
·坚固的安装由于集成安装夹具

FF4MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低开关损耗
·低电感设计
·高电流密度
·坚固的安装由于集成安装夹具
·按fit接触技术
·集成NTC温度传感器

FF6MR12W2M1_B70
·高电流密度
·低电感设计
·低开关损耗
·集成NTC温度传感器
·按fit接触技术
·坚固的安装由于集成安装夹具
·改进的陶瓷基板

FF6MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 150a / i (drm) = 300a
·低开关损耗
·低电感设计
·高电流密度
·坚固的安装由于集成安装夹具
·按fit接触技术
·集成NTC温度传感器